[发明专利]集成电路器件及其存储器阵列

说明书

本文公开了用于改进存储器阵列(诸如静态随机存取存储器阵列)的性能的基于鳍的阱带。示例性集成电路(IC)器件包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的FinFET。FinFET包括掺杂有第一掺杂剂浓度的第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件。IC器件还包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的基于鳍的阱带。基于鳍的阱带将掺杂区连接至电压。基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的第一类型掺杂剂的第二鳍结构和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件。第二掺杂剂浓度比第一掺杂剂浓度大(例如，比第一掺杂剂浓度大至少三倍)。本发明还提供了集成电路器件及其存储器阵列。

技术领域

本发明的实施例一般地涉及半导体技术领域，更具体地，涉及集成电路器件及其存储器阵列。

背景技术

静态随机存取存储器(“SRAM”)通常是指仅在施加电源时才能保留存储的数据的任何存储器或存储件。随着集成电路(IC)技术向更小的技术节点发展，SRAM通常将诸如鳍式场效应晶体管(FinFET)的基于鳍的结构结合到SRAM单元中以增强性能，其中，每个SRAM单元可以存储数据位。由于SRAM单元性能大部分具有布局依赖性(例如，已经观察到SRAM阵列的内部SRAM单元的性能不同于SRAM阵列的边缘SRAM单元)，所以已经实现了基于鳍的阱带单元以稳定阱电势，从而促进整个SRAM阵列中的均匀的电荷分布，并且因此在SRAM阵列的SRAM单元之间的均匀性能。然而，随着鳍尺寸缩小，已经观察到基于鳍的阱带单元增加了拾取电阻和/或降低了SRAM阵列的闭锁性能。因此，尽管用于SRAM阵列的现有的阱带单元通常已经足够用于其预期目的，但是它们还没有在所有方面都完全令人满意。

发明内容

根据本发明的一方面，提供了一种集成电路器件，包括：鳍式场效应晶体管，设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方，其中，所述鳍式场效应晶体管包括掺杂有第一掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件；基于鳍的阱带，设置在所述第一类型掺杂剂的所述掺杂区上方，其中，所述基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第二鳍结构和第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件，其中，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度，并且所述基于鳍的阱带将所述掺杂区连接至电压。

根据本发明的另一方面，提供了一种存储器阵列，包括：第一行阱带单元和第二行阱带单元；多个存储器单元，布置为多列和多行，其中，所述多个存储器单元设置在所述第一行阱带单元和所述第二行阱带单元之间，从而使得每列存储器单元设置在第一阱带单元和第二阱带单元之间；其中，所述存储器单元中的每个包括设置在第一类型掺杂剂的掺杂区上方的鳍式场效应晶体管，其中，所述鳍式场效应晶体管包括掺杂有第一掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第一鳍结构和第二类型掺杂剂的第一源极/漏极部件；以及其中，所述第一阱带单元和所述第二阱带单元均包括设置在所述第一类型掺杂剂的所述掺杂区上方基于鳍的阱带，其中，所述基于鳍的阱带包括掺杂有第二掺杂剂浓度的所述第一类型掺杂剂的第二鳍结构和所述第一类型掺杂剂的第二源极/漏极部件，其中，所述第二掺杂剂浓度大于所述第一掺杂剂浓度，并且所述基于鳍的阱带将所述第一类型掺杂剂的所述掺杂区连接至第一电压。

根据本发明的又一方面，提供了一种集成电路器件，包括：p型阱，设置在衬底中；n型鳍式场效应晶体管，设置在所述p型阱上方，其中，所述n型鳍式场效应晶体管具有电连接至所述p型阱的第一p型鳍结构和设置在所述第一p型鳍结构上方的第一栅极结构，从而使得所述第一栅极结构介于所述n型鳍式场效应晶体管的n型源极/漏极部件之间；p型阱带，设置在所述p型阱上方，其中，所述p型阱带具有电连接至所述p型阱的第二p型鳍结构和设置在所述第二p型鳍结构上方的第二栅极结构，从而使得所述第二栅极结构介于所述p型阱带的p型源极/漏极部件之间；以及其中，所述第一p型鳍结构具有第一p型掺杂剂浓度以及所述第二p型鳍结构具有比所述第一p型掺杂剂浓度更大的第二p型掺杂剂浓度。