[发明专利]设备前端模块气体再循环在审
申请号: | 201810585588.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN109037098A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 布兰登·李·森;彼得·R·瓦塞;斯科特·弗农·王;西尔维亚·罗西奥·阿吉拉尔阿马亚;托德·安东尼·洛佩斯;理查德·霍华德·古尔德;詹姆斯·唐纳德·凯勒;史蒂文·艾德蒙·普拉茨科 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 再循环 设备前端模块 方法和装置 期间提供 气体流量 前端模块 涉及设备 | ||
1.一种装置,其包括:
设备前端模块(“EFEM”),所述EFEM具有
微环境,
流体连接到所述微环境的进气室,
EFEM气体出口,其位于所述EFEM的底部并与所述微环境流体连接,以及
风机单元,所述风机单元被配置成使气体从所述进气室流动以移动通过所述微环境;
排放机构,所述排放机构流体地连接到所述EFEM气体出口并且被配置成能在至少多个第一打开配置与多个第二打开配置之间转变,所述多个第二打开配置具有比所述多个第一打开配置的流导小的流导;
再循环管道,其具有流体连接到所述进气室的第一端和流体连接到所述微环境的第二端;
第一气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第一气体供应源流体连接;
第二气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第二气体供应源流体连接;和
控制器,其被配置为:
(a)通过使气体从所述微环境流动通过所述再循环管道和所述进气室并返回到所述微环境中而在所述EFEM内引起气体再循环,
(b)在(a)期间,使第一气体从所述第一气体供应源以第一流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第一打开配置中的一个或多个第一打开配置中,
(c)在(a)期间和在(b)之后,使所述第一气体从所述第一气体供应源以小于所述第一流率的第二流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第二打开配置中的一个或多个第二打开配置中,以及
(d)使第二气体从所述第二气体供应源流入所述进气室。
2.根据权利要求1所述的装置,其中所述排放机构包括节流阀。
3.根据权利要求1所述的装置,其还包括被配置成测量所述微环境中的压力的压力传感器,其中:
在(b)中进一步配置所述控制器以至少部分地基于所述微环境的所述压力来调节所述排放机构在所述一个或多个第一打开配置之间的配置,以及
在(c)中进一步配置所述控制器以至少部分地基于所述微环境的压力来调节所述排放机构在所述一个或多个第二打开配置之间的配置。
4.根据权利要求3所述的装置,其中:
所述控制器进一步被配置成:(e)确定所述微环境中的压力是否处于、高于或低于第一阈值压力,
在(b)中进一步配置所述控制器以至少部分地基于(e)中的所述确定来调节所述排放机构的所述配置,并且
在(c)中进一步配置所述控制器以至少部分地基于(e)中的所述确定来调节所述排放机构的所述配置。
5.根据权利要求3所述的装置,其中所述控制器进一步被配置成:
在(b)和/或(c)期间至少部分地基于所述微环境中的压力和所述第一气体进入所述进气室的流率来确定所述EFEM中是否存在泄漏,以及
基于确定所述EFEM中存在泄漏,使所述排放机构转变为具有大于或等于所述多个第二打开配置的最大流导的流导的第三打开配置,使从所述第一气体供应源流动到所述进气室的所述第一气体的流动停止,并且使所述第二气体从所述第二气体供应源流入所述进气室。
6.根据权利要求5所述的装置,其中:
所述排放机构包括节流阀和与所述节流阀并联流体连接的排放旁通阀,以及
使所述排放机构移动到第三打开配置包括使所述排放旁通阀转变到打开配置。
7.根据权利要求5所述的装置,其进一步包括流率传感器,所述流率传感器被配置成检测流过所述第一气体供应入口的气体的流率。
8.根据权利要求3-7中任一项所述的装置,其中所述控制器还被配置为:
(f)使所述排放机构移动至闭合配置,
(g)在(f)之后使气体以第三流率流过所述进气室并进入所述微环境,并且
(h)在(g)期间或之后,至少部分地基于所述微环境中的压力和所述第三流率确定所述EFEM中是否存在泄漏。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造