[发明专利]设备前端模块气体再循环在审
申请号: | 201810585588.X | 申请日: | 2018-06-08 |
公开(公告)号: | CN109037098A | 公开(公告)日: | 2018-12-18 |
发明(设计)人: | 布兰登·李·森;彼得·R·瓦塞;斯科特·弗农·王;西尔维亚·罗西奥·阿吉拉尔阿马亚;托德·安东尼·洛佩斯;理查德·霍华德·古尔德;詹姆斯·唐纳德·凯勒;史蒂文·艾德蒙·普拉茨科 | 申请(专利权)人: | 朗姆研究公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/677 |
代理公司: | 上海胜康律师事务所 31263 | 代理人: | 李献忠;邱晓敏 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 再循环 设备前端模块 方法和装置 期间提供 气体流量 前端模块 涉及设备 | ||
本发明涉及设备前端模块气体再循环。公开了用于使气体在设备前端模块(“EFEM”)中再循环的方法和装置,其包括在再循环期间提供气体和在再循环期间控制EFEM中的环境的气体流量、压力和组成的能力。
技术领域
本发明总体上涉及半导体领域,更具体涉及设备前端模块气体再循环。
背景技术
一些半导体处理工具使用设备前端模块(“EFEM”)在诸如前端开口标准盒(“FOUP”)之类的存储容器与半导体处理工具的内部部件(诸如加载锁或处理室)之间传输半导体晶片。EFEM通常由插入在接收这种FOUP的加载端口与加载锁或处理室之间的外壳组成;经过滤的空气可以流经该外壳,以便在通过EFEM传输过程中保持晶片周围的清洁环境。EFEM通常包括机械手臂,机械手臂可以将晶片从FOUP传输通过EFEM到达半导体处理工具的其他元件,然后返回FOUP。EFEM还可以包括或附接有多个加载端口,每个加载端口接收单个FOUP,其使得来自多个FOUP的晶片能够在单个半导体处理工具内被处理。
发明内容
在本说明书中描述的主题的一个或多个实现方式的细节在附图和下面的描述中阐述。根据描述、附图和权利要求,其他特征、方面和优点将变得显而易见。
在一实施方式中,可以提供一种装置。所述装置可以包括:设备前端模块(“EFEM”);所述EFEM具有微环境;流体连接到所述微环境的进气室;位于所述EFEM的底部并与所述微环境流体连接的EFEM气体出口,以及被配置成使气体从所述进气室流动以移动通过所述微环境的风机单元。所述装置还可以包括:排放机构,所述排放机构流体地连接到所述EFEM气体出口并且被配置成能在至少多个第一打开配置与多个第二打开配置之间转变,所述第二打开配置具有比所述多个第一打开配置的流导小的流导;再循环管道,其具有流体连接到所述进气室的第一端和流体连接到所述微环境的第二端;第一气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第一气体供应源流体连接;第二气体供应入口,其流体连接到所述进气室并且被配置成与第二气体供应源流体连接;以及控制器。所述控制器可以被配置为:(a)通过使气体从所述微环境流动通过所述再循环管道和所述进气室并返回到所述微环境中而在所述EFEM内引起气体再循环,(b)在(a)期间,使第一气体从所述第一气体供应源以第一流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第一打开配置中的一个或多个第一打开配置中,(c)在(a)期间和在(b)之后,使所述第一气体从所述第一气体供应源以小于所述第一流率的第二流率流入所述进气室,而所述排放机构处于所述第二打开配置中的一个或多个第二打开配置中,以及(d)使第二气体从所述第二气体供应源流入所述进气室。
在一些实施方式中,所述排放机构可以包括节流阀。
在一些实施方式中,所述装置还可以包括被配置成测量所述微环境中的压力的压力传感器。在(b)中可以进一步配置所述控制器以至少部分地基于所述微环境的所述压力来调节所述排放机构在所述一个或多个第一打开配置之间的配置,以及在(c)中可以进一步配置所述控制器以至少部分地基于所述微环境的压力来调节所述排放机构在所述一个或多个第二打开配置之间的配置。
在一些这样的实施方式中,所述控制器可以进一步被配置成:(e)确定所述微环境中的压力是否处于、高于或低于第一阈值压力,在(b)中可以进一步配置所述控制器以至少部分地基于(e)中的所述确定来调节所述排放机构的所述配置,并且在(c)中可以进一步配置所述控制器以至少部分地基于(e)中的所述确定来调节所述排放机构的所述配置。
在一些其他的这样的实施方式中,所述控制器可以进一步被配置成:在(b)和/或(c)期间至少部分地基于所述微环境中的压力和所述第一气体进入所述进气室的流率来确定所述EFEM中是否存在泄漏,以及基于确定所述EFEM中存在泄漏,使所述排放机构转变为具有大于或等于所述多个第二打开配置的最大流导的流导的第三打开配置,使从所述第一气体供应源流动到进气室的所述第一气体的流动停止,并且使所述第二气体从所述第二气体供应源流入所述进气室。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于朗姆研究公司,未经朗姆研究公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810585588.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:加工装置
- 下一篇:晶片容器的气体供应装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造