[发明专利]磁传感器和照相机模块

权利要求书

1.一种磁传感器，其特征在于，

相对于外部磁体移动并且检测由所述外部磁体产生的外部磁场的变化，所述磁传感器包括：

磁阻效应元件，根据所述外部磁场的变化产生磁阻变化；和

一对偏置磁体，设置在所述磁阻效应元件附近，并且将偏置磁场施加于所述磁阻效应元件，所述偏置磁场具有抵消施加于所述磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与所述外部磁场垂直的分量，

所述偏置磁体在与所述外部磁场和所述偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面，

在与所述伸长的截面平行并且所述偏置磁体和所述磁阻效应元件投影所在的投影平面中，所述偏置磁体包括元件相对侧，所述元件相对侧与所述磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸，所述偏置磁体在与所述长边方向垂直的方向上被磁化，并且所述元件相对侧比其它侧长。

2.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述偏置磁体具有以锐角连接至所述元件相对侧的侧面侧。

3.根据权利要求2所述的磁传感器，其中，

所述偏置磁体的截面形状为梯形，其中，所述元件相对侧为所述梯形的长边。

4.根据权利要求2所述的磁传感器，还包括第一组和第二组，每组都由所述磁阻效应元件和所述一对偏置磁体组成，其中，所述第一组的偏置磁体中的任一个与所述第二组的偏置磁体中的任一个彼此相邻，并且所述第一组的偏置磁体中的所述任一个的侧面侧与所述第二组的偏置磁体中的所述任一个的侧面侧彼此相对。

5.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述元件相对侧比所述磁阻效应元件在所述长边方向上的宽度长1.5倍以上。

6.一种磁传感器，其特征在于，

相对于外部磁体移动并且检测由所述外部磁体产生的外部磁场的变化，所述磁传感器包括：

磁阻效应元件，根据所述外部磁场的变化产生磁阻变化；和

一对偏置磁体，设置在所述磁阻效应元件附近，并且将偏置磁场施加于所述磁阻效应元件，所述偏置磁场具有抵消施加于所述磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与所述外部磁场垂直的分量，

随着所述偏置磁体的截面接近所述磁阻效应元件，所述偏置磁体的所述截面的面积逐渐增大，其中，所述截面平行于所述偏置磁体的与所述磁阻效应元件相对的表面。

7.根据权利要求6所述的磁传感器，其中，

所述一对偏置磁体相对于穿过所述磁阻效应元件的第一中心线旋转对称，并且每个偏置磁体相对于与所述第一中心线平行并且穿过所述偏置磁体的重心的第二中心线不旋转对称。

8.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述磁阻效应元件是TMR元件。

9.根据权利要求1所述的磁传感器，其中，

所述磁阻效应元件具有在与施加于所述磁阻效应元件的外部磁场垂直的方向上的长边轴线，并且多对偏置磁体沿所述长边轴线布置，使得所述偏置磁体与所述磁阻效应元件的上表面和/或下表面相对。

10.一种磁传感器，其特征在于，

相对于外部磁体移动并且检测由所述外部磁体产生的外部磁场的变化，所述磁传感器包括：

磁阻效应元件，根据所述外部磁场的变化产生磁阻变化；和

一对偏置磁体，设置在所述磁阻效应元件附近，并且将偏置磁场施加于所述磁阻效应元件，所述偏置磁场具有抵消施加于所述磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与所述外部磁场垂直的分量，其中，

所述偏置磁体在与施加所述偏置磁场的方向平行的磁化方向上被磁化，并且在与所述外部磁场和所述偏置磁场两者平行的平面内，所述偏置磁体具有沿与磁化方向垂直的方向伸长的形状，

所述偏置磁体被成形为在所述平面中限制在垂直于所述磁化方向的方向上的所述磁化方向的弯曲，其中，所述弯曲由所述偏置磁体的伸长的形状引起的形状各向异性导致。