[发明专利]磁传感器和照相机模块

说明书

一对偏置磁体将偏置磁场施加于磁阻效应元件，偏置磁场具有抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和与外部磁场垂直的分量。偏置磁体在与外部磁场和偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面。在与截面平行并且偏置磁体和磁阻效应元件投影所在的投影平面中，偏置磁体包括元件相对侧，该元件相对侧与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸。偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化。元件相对侧比其他侧长。

技术领域

本申请基于并要求于2017年6月8日提交的第2017-113576号日本专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。

本发明涉及一种磁传感器和使用该磁传感器的照相机模块，并且具体涉及一种偏置磁体的配置。

背景技术

包括磁阻效应元件的磁传感器近来已被用作用于检测移动对象位置的传感器。磁传感器相对于磁体移动，从而检测由磁体产生的外部磁场的变化。例如，在照相机模块中，作为移动对象的透镜相对于磁体移动，并且固定于透镜的磁传感器相对于磁体移动。这种移动改变磁传感器与磁体之间的位置关系，并且改变由磁传感器检测到的外部磁场。基于磁传感器输出的变化来计算移动对象的移动量。

通常，外部磁场不会变为零，并且由于磁传感器相对于磁体的移动，所以由磁传感器检测到的外部磁场在除零之外的特定磁场强度附近变化。WO2014/111976A1、JP5843079B和JP2016-130686A公开了一种磁传感器，其具有布置在磁阻效应元件两侧的偏置磁体。偏置磁体的与磁阻效应元件相对的表面相对于与磁阻效应元件的磁场检测方向垂直的方向倾斜。因此，偏置磁体沿使得所施加的偏置磁场的分量抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向施加具有该分量的偏置磁场。这使得施加于磁传感器的磁场能够基本上在零磁场附近变化，从而增强输出的线性度和检测磁场强度的精度。

发明内容

WO2014/111976A1中公开的磁传感器具有多个磁阻效应元件共用的偏置磁体。因此，针对各磁阻效应元件，偏置磁场发生变化，从而难以提高检测磁场强度的精度。JP5843079B和JP2016-130686A中公开的磁传感器具有用于各磁阻效应元件的偏置磁体，并且上述问题几乎不会发生。然而，每个偏置磁体具有伸长的截面，其中，与磁阻效应元件相对的表面沿长边方向延伸，并且偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化。因此，由于偏置磁体的形状各向异性，所以容易在长边上引导(弯曲)偏置磁体的磁化方向，并且不能有效地沿与长边方向垂直的方向施加偏置磁场。JP5843079B和JP2016-130686A还公开了一种具有近似正方形截面的偏置磁体。这种偏置磁体不太可能导致上述问题，但其难以提高空间效率。

本发明的目的在于提供一种具有偏置磁体的磁传感器，该偏置磁体具有与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸的表面，该偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化并且其磁化方向不太可能指向长边方向。

根据实施例的磁传感器相对于外部磁体移动并且检测由外部磁体产生的外部磁场的变化。该磁传感器包括：磁阻效应元件，根据外部磁场的变化产生磁阻变化；和一对偏置磁体，设置在磁阻效应元件附近，并且向磁阻效应元件施加偏置磁场，偏置磁场具有在抵消施加于磁阻效应元件的外部磁场的方向上的分量和垂直于外部磁场的分量。偏置磁体在与外部磁场和偏置磁场两者平行的平面中具有伸长的截面。在与截面平行并且偏置磁体和磁阻效应元件投影所在的投影平面中，偏置磁体包括元件相对侧，该元件相对侧与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸，其中，偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化，并且元件相对侧比其他侧长。

本发明的磁传感器的偏置磁体的截面具有比其他侧长的元件相对侧，并且截面不具有简单的矩形形状。因此，形状各向异性效应受到限制，并且磁化方向不太可能指向长边方向。因此，根据本发明，能够提供一种具有偏置磁体的磁传感器，该偏置磁体具有与磁阻效应元件相对并且沿长边方向延伸的表面，该偏置磁体在与长边方向垂直的方向上被磁化并且其磁化方向不太可能指向长边方向。