[发明专利]半导体器件及其制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上分别形成分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元；

在所述分栅快闪存储器件单元表面形成有氧化层，在所述逻辑器件单元的表面不形成氧化层；

保留覆盖所述分栅快闪存储器件单元中位于其侧墙外侧面的氧化层，去除其它区域的氧化层，以使所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层，所述第一间隔氧化层与所述分栅快闪存储器件单元的位线之间留有缝隙；

采用同一光罩和同一离子在同一道离子注入工艺中同时对所述分栅快闪存储器件单元第一间隔氧化层与位线之间的衬底和所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底进行离子注入，在所述分栅快闪存储器件单元的第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区，在所述逻辑器件单元的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，覆盖所述氧化层的厚度为200埃。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述去除其它区域的氧化层的步骤为湿法蚀刻工艺。

4.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述离子为磷。

5.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述分栅快闪存储器件单元和所述逻辑器件单元采用同一衬底，所述衬底为N型。

6.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述分栅快闪存储器件单元的步骤包括：

在衬底上形成隧穿氧化层、浮栅、字线、侧墙、源区和源极线，以及沿所述衬底向上延伸、且与所述侧墙间隔设置的位线。

7.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，形成所述逻辑器件单元的步骤包括：

在衬底上形成绝缘氧化层和栅极结构，形成在所述栅极结构外侧面的侧墙，以及沿所述衬底向下延伸、且与所述侧墙间隔设置的隔离结构。

8.一种半导体器件，其特征在于，包括基于同一衬底形成的分栅快闪存储器件单元和逻辑器件单元；所述分栅快闪存储器件单元包括形成于衬底上隧穿氧化层、浮栅、字线、侧墙、源区和源极线，以及沿所述衬底向上延伸、且与所述侧墙间隔设置的位线，所述分栅快闪存储器件单元的侧墙外侧面形成有第一间隔氧化层，所述第一间隔氧化层与位线之间留有缝隙，所述第一间隔氧化层与位线之间的衬底中形成有重掺杂的N型漏极区；所述逻辑器件单元包括形成在衬底上绝缘氧化层和栅极结构，形成在所述栅极结构外侧面的侧墙，以及沿所述衬底向下延伸、且与所述栅极结构外侧面的侧墙间隔设置的隔离结构，所述栅极结构外侧面的侧墙与隔离结构之间的衬底中形成有重掺杂的N型源/漏极区；在所述逻辑器件单元的表面不形成氧化层。