[发明专利]闪存侧墙的形成方法

权利要求书

1.一种闪存侧墙的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有第一栅极层、介电层、第二栅极层以及掩膜层；所述掩膜层中设有第一开口，所述第一开口暴露出所述第二栅极层的表面，在所述第一开口的侧壁形成有第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第二栅极层和所述介电层形成第二开口；

在所述第二开口的底部和侧壁以及所述掩膜层的表面依次形成第一介质层和第二介质层；

对所述第二介质层进行第一次刻蚀；所述第一次刻蚀暴露出所述掩膜层表面上的所述第一介质层和所述第二开口底部表面上的所述第一介质层；

对所述第二介质层进行第二次刻蚀；所述第二次刻蚀对所述第一介质层的暴露部分进行减薄，并降低所述第二介质层的顶部高度；所述第二次刻蚀时，所述第二介质层相对于所述第一介质层的选择性大于所述第一次刻蚀时所述第二介质层相对于所述第一介质层的选择性；以及

对所述第二介质层进行第三次刻蚀；所述第三次刻蚀暴露出所述掩膜层的表面和所述第一侧墙的部分表面，并对所述第二开口底部表面上的所述第一介质层进一步减薄，且进一步降低所述第二介质层的顶部高度，以在所述第一介质层表面形成第二侧墙；所述第三次刻蚀时，所述第二介质层相对于所述第一介质层的选择性大于所述第二次刻蚀时所述第二介质层相对于所述第一介质层的选择性。

2.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一介质层的厚度范围为94～115埃。

3.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第二介质层的厚度范围为270～330埃。

4.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第二次刻蚀时，所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比范围为3～4。

5.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第三次刻蚀时，所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比范围为8～9。

6.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第二次刻蚀和所述第三次刻蚀采用到达时间停止刻蚀的方式进行刻蚀。

7.如权利要求6所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第二次刻蚀的时间范围为25～35秒。

8.如权利要求6所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第三次刻蚀的时间范围为20～30秒。

9.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀时，所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比范围为1.5～2.0。

10.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀采用到达终点停止刻蚀的方式进行刻蚀。

11.如权利要求10所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀刻蚀的厚度范围为270～330埃。

12.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀和所述第二次刻蚀采用四氟化碳气体和三氟甲烷气体的混合气体。

13.如权利要求12所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第一次刻蚀时，所述四氟化碳气体与所述三氟甲烷气体含量之比的范围为2.5～3.5。

14.如权利要求12所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第二次刻蚀时，所述四氟化碳气体与所述三氟甲烷气体含量之比的范围为0.25～0.75。

15.如权利要求1所述的闪存侧墙的形成方法，其特征在于，所述第三次刻蚀采用三氟甲烷气体。