[发明专利]闪存侧墙的形成方法

说明书

本发明提供了一种闪存侧墙的形成方法，所述闪存侧墙的形成方法分三次刻蚀形成闪存器件的第二侧墙；形成的第二侧墙的高度小于现有技术中形成的第二侧墙的高度。第二侧墙高度减小，使得闪存字线顶部与第二侧墙的高度差增大，从而使闪存字线顶部与第二侧墙的高度差达到工艺标准。同时与现有技术相比增加一刻蚀步骤，使得本方法中对所述第二介质层过度刻蚀时间间与现有技术中对所述第二介质层过度刻蚀时间基本一致，避免了由于过度刻蚀时间增加污染反应腔体，导致后续形成的半导体结构出现异常的问题，提高了器件的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种闪存侧墙的形成方法。

背景技术

在现有的集成电路中，存储器件已成为一种重要器件。在目前的存储器件中，闪存(Flash Memory)的发展尤为迅速。闪存的主要特点是在不加电的情况下能长期保持存储的信息；且具有集成度高、存取速度快、易于擦除和重写等优点，因而在微机、自动化控制等多项领域得到了广泛的应用。

在闪存器件中的每部分都有相应的尺寸要求。其中，闪存的偏移侧墙与闪存字线顶部的高度差是影响闪存器件整体性能的一个重要因素，这个高度差需要在一个合适的范围内。若字线化学机械抛光过程的工艺窗口宽度小于标准宽度，字线顶部距离偏移侧墙的距离会比较近，则使得偏移侧墙与闪存字线顶面的高度差小于了偏移侧墙与闪存字线顶面之间高度差的标准值，这样在后续的器件的制作过程中使得偏移侧墙暴露出来，最终导致偏移侧墙在浮栅上掩膜层的去除步骤被刻蚀，损坏器件结构。若字线化学机械抛光过程的工艺窗口宽度大于标准宽度，字线顶部距离距离偏移侧墙的距离变大，使得偏移侧墙与闪存字线顶面的高度差变大，使偏移侧墙与闪存字线顶面的高度差达到标准值，但是字线化学机械抛光过程的工艺窗口变大，字线在化学机械抛光过程后会在浮栅上掩膜层表面留有残余，从而阻塞了后续浮栅上掩膜层的去除。因此通过增加字线化学机械抛光过程的工艺窗口宽度的方法来使偏移侧墙与闪存字线顶面的高度差达到工艺标准是不可取的。

发明内容

本发明的目的在于提供一种闪存侧墙的形成方法，以解决现有方法中形成的闪存偏移侧墙与闪存字线顶部的高度差不符合半导体器件制作工艺标准的问题。

为了达到上述目的，本发明提供了一种闪存侧墙的形成方法，包括以下步骤：

提供衬底，所述衬底上依次形成有第一栅极层、介电层、第二栅极层以及掩膜层；所述掩膜层中设有第一开口，所述第一开口暴露出所述第二栅极层的表面，在所述第一开口的侧壁形成有第一侧墙；

以所述第一侧墙为掩膜，刻蚀所述第二栅极层和所述介电层形成第二开口；

在所述第二开口的底部和侧壁以及所述掩膜层的表面依次形成第一介质层和第二介质层。

对所述第二介质层进行第一次刻蚀；所述第一次刻蚀暴露出所述掩膜层表面上的所述第一介质层和所述第二开口底部表面上的所述第一介质层；

对所述第二介质层进行第二次刻蚀；所述第二次刻蚀时对所述第二介质层的选择性大于所述第一次刻蚀时对所述第二介质层的选择性；以及

对所述第二介质层进行第三次刻蚀，在所述第一介质层表面形成第二侧墙；所述第三次刻蚀时，对所述第二介质层的选择性大于所述第二次刻蚀时对所述第二介质层的选择性。

可选的，所述第一介质层的厚度范围为94～115埃。

可选的，所述第二介质层的厚度范围为270～330埃。

可选的，所述第二次刻蚀时，所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比范围为3～4。

可选的，所述第三次刻蚀时，所述第二介质层和所述第一介质层的刻蚀选择比范围为8～9。

可选的，所述第二次刻蚀和所述第三次刻蚀采用到达时间停止刻蚀的方式进行刻蚀。