[发明专利]基于CH3

权利要求书

1.一种基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

S1、选取Si衬底；

S2、在所述Si衬底上表面生长绝缘层，所述绝缘层的材料为SiO₂；

S3、在所述绝缘层表面制备MoSe₂材料形成导通层；

所述S3包括：

S31、采用射频磁控溅射技术将MoSe₂转移到所述绝缘层表面，其中，射频磁控溅射条件为射频功率为50W，直流电压为225V，衬底温度为400℃，压力室压力为5mTorr；

S32、在800℃下退火30~40min，形成导通层；

S4、在所述导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；

所述S4包括：

S41、采用掩膜版，利用磁控溅射工艺在所述导通层表面磁控溅射Au材料，其中，溅射靶材选用质量比纯度99.99%的Au；

S42、以氩气作为溅射气体通入溅射腔，所述氩气质量百分比纯度为99.999%；

S43、在真空度为4.0×10^-4Pa、氩气流量为20cm³/秒、溅射靶材基距为10cm和工作电流为1A的条件下，制备形成叉指电极层；

S5、在所述叉指电极层上生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件；

所述S5包括：

S51、将PbI₂和CH₃NH₃I依次加入DMSO:GBL，搅拌并静置后形成CH₃NH₃PbI₃溶液；

所述S51包括：

S511、将1:1的PbI₂和CH₃NH₃I先后加入DMSO:GBL中得到PbI₂和CH₃NH₃I的混合溶液；

S512、将所述混合溶液在80℃温度下搅拌100~120分钟，得到搅拌后的溶液；

S513、将所述搅拌后的溶液在80℃温度下静置60~70分钟，得到所述CH₃NH₃PbI₃溶液；

S52、利用单一涂抹工艺在所述叉指电极层表面旋涂所述CH₃NH₃PbI₃溶液形成光吸收层；

所述S52包括：

S521、利用单一涂抹工艺，在所述叉指电极层表面将所述CH₃NH₃PbI₃溶液以2000 rmp的速率旋转涂抹30~40秒；

S522、在90℃温度下退火60~70分钟，形成所述光吸收层。

2.根据权利要求1所述的基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件的制备方法，其特征在于，所述Si衬底的掺杂浓度为1×10¹⁹cm^-3~1×10²¹cm^-3、厚度为400~500μm。

3.根据权利要求1所述的基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件的制备方法，其特征在于，所述绝缘层为利用热氧化工艺在所述Si衬底上表面生长厚度为300~400nm的SiO₂材料形成。

4.一种基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件，其特征在于，包括由权利要求1~3中任一项所述的方法制备形成。