[发明专利]基于CH3

说明书

本发明涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件及其制备方法，包括以下步骤：选取Si衬底；在Si衬底上表面生长绝缘层；在绝缘层表面制备MoSe₂材料形成导通层；在导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；在叉指电极层上生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件。利用CH₃NH₃PbI₃材料和MoSe₂材料的特性来制备光敏器件，使其具有高光灵敏度、高电子迁移率的特点。

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，具体涉及一种基于CH₃NH₃PbI₃和 MoSe₂材料的光敏器件及其制备方法。

背景技术

随着人工智能的蓬勃发展，微电子技术越来越重要。尤其随着万物互联、大数据、云计算等概念的提出，各种新型器件愈发重要，因此对光敏器件的需求也日益增长。半导体光敏器件是基于半导体光电效应的光电转换传感器，又称光电敏感器。采用光、电技术能实现无接触、远距离、快速和精确测量，常用来间接测量能转换成光量的其他物理或化学量。然而，传统的光敏器件功耗较高且光学敏感性有限，并不能满足人们对高性能探测器的需求。

因此，如何改善现有器件的性能，使之具有高灵敏度、高电子迁移率就变得很有必要。

发明内容

为了解决现有技术中存在的上述问题，本发明提供了一种基于 CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件及其制备方法。本发明要解决的技术问题通过以下技术方案实现：

本发明实施例提供了一种基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件的制备方法，包括以下步骤：

S1、选取Si衬底；

S2、在所述Si衬底上表面生长绝缘层；

S3、在所述绝缘层表面制备MoSe₂材料形成导通层；

S4、在所述导通层表面溅射Au材料形成叉指电极层；

S5、在所述叉指电极层上生长CH₃NH₃PbI₃材料形成光吸收层，从而形成所述基于CH₃NH₃PbI₃和MoSe₂材料的光敏器件。

在本发明的一个实施例中，所述Si衬底的掺杂浓度为 1×10¹⁹cm^-3～1×10²¹cm^-3、厚度为400～500μm。

在本发明的一个实施例中，所述绝缘层为利用热氧化工艺在所述Si衬底上表面生长厚度为300～400nm的SiO₂材料形成。

在本发明的一个实施例中，所述S3包括：

S31、采用射频磁控溅射技术将MoSe₂转移到所述绝缘层表面，其中，射频磁控溅射条件为射频功率为50W，直流电压为225V，衬底温度为 400℃，压力室压力为5mTorr；

S32、在800℃下退火30～40min，形成导通层。