[发明专利]一种钴基块体非晶合金及其制备方法有效
| 申请号： | 201810593726.9 | 申请日： | 2018-06-11 |
| 公开（公告）号： | CN108504966B | 公开（公告）日： | 2020-03-20 |
| 发明（设计）人： | 郭胜锋;赖利民;何然干;丁凯露 | 申请（专利权）人： | 西南大学 |
| 主分类号： | C22C45/04 | 分类号： | C22C45/04;C22C1/03 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 400715*** | 国省代码： | 重庆;50 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 块体 合金 及其 制备 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种钴基块体非晶合金，其特征在于，所述的钴基块体非晶合金成分Cox-Moy-Bz体系中，x、y、z为原子百分比，其中，59≤x≤67，17≤y≤28，13≤z≤19；所述的钴基块体非晶合金由单一的非晶相所组成，其临界非晶形成直径为1~2mm；所述的钴基块体非晶合金的断裂强度为4.8GPa~5.4GPa，塑性形变量为4%；所述的钴基块体非晶合金在3.5%NaCl溶液中的腐蚀电流密度为3.94μA/cm2~7.55μA/cm2；所述的钴基块体非晶合金的玻璃转变温度为818~847K；
所述的钴基块体非晶合金的制备方法包括如下步骤：
（1）按照所述的钴基块体非晶合金的成分来称取Co、Mo、B三种高纯原材料，并且打磨金属Co和金属Mo表面氧化皮，保证金属Co、金属Mo、单质B纯度高于99.9%；
（2）首先将配制好的原料放入真空电弧炉中；然后抽真空至4×10-3Pa以下，再充入0.05MPa氩气，继续抽真空至4×10-3Pa以下,再充入0.2MPa氩气；然后在纯度为99.999%的氩气保护气氛下熔炼五到七次，使得合金成分均匀，获得母合金锭；最终将母合金锭完全熔化，通过水冷铜模快速凝固技术获得钴基块体非晶合金的样棒。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于西南大学，未经西南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810593726.9/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
