[发明专利]包括电容测量电路的半导体装置

说明书

半导体装置可以包括电容测量电路。电容测量电路可以包括被配置为输出恒定电流的恒定电流电路。电容测量电路可以包括电压转换电路，该电压转换电路被配置为将恒定电流转换为检测电压，并且补偿由于电压转换电路的内部泄漏电流引起的检测电压的变化。电容测量电路可以包括代码发生电路，该代码发生电路被配置为将通过检测在检测电压增加到参考电压时所经过的时间而获得的值产生为代码信号。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2017年9月19日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2017-0120619的韩国专利申请的优先权，其通过引用整体并入本文。

技术领域

各种实施例总体而言涉及一种半导体电路，并且更具体地，涉及一种包括在半导体装置中的电容测量电路。

背景技术

半导体装置可以由多个具有电容的器件(诸如晶体管和电容器)来构成。

在制造过程中上述器件的电容偏离目标值的情况下，可能对相应的半导体装置的操作性能产生实质影响。

因此，需要能够精确测量构成半导体装置的器件的电容的电路结构。

发明内容

在一个实施例中，可以提供一种包括电容测量电路的半导体装置。电容测量电路可以包括被配置为输出恒定电流的恒定电流电路。电容测量电路可以包括电压转换电路，该电压转换电路被配置为将恒定电流转换为检测电压，并且补偿由于电压转换电路的内部泄漏电流引起的检测电压的变化。电容测量电路可以包括代码发生电路，该代码发生电路被配置为将通过检测在检测电压增加到参考电压时所经过的时间而获得的值产生为代码信号。

在一个实施例中，可以提供一种包括电容测量电路和被测器件的半导体装置。电容测量电路可以包括被配置为产生恒定电流的电流源。电容测量电路可以包括第一开关电路，该第一开关电路被配置为根据测试模式信号来将恒定电流供给到被测器件，该被测器件将充电电压输出为检测电压。电容测量电路可以包括第二开关电路，该第二开关电路被配置为将通过其输出检测电压的节点的电压电平重置为接地端子的电平。电容测量电路可以包括比较器，该比较器被配置为通过将参考电压与检测电压进行比较来产生比较信号。电容测量电路可以包括计数器，该计数器被配置为通过将比较信号作为振荡信号进行计数来输出代码信号。

附图说明

图1是示出根据一个实施例的半导体装置1的配置的示例性代表的示图。

图2是示出根据一个实施例的半导体装置中包括的电容测量电路100的配置的示例性代表的示图。

图3是示出图2所示的恒定电流电路200的配置的示例性代表的示图。

图4是示出图2所示的电压转换电路300的配置的示例性代表的示图。

图5是示出图2所示的代码发生电路400的配置的示例性代表的示图。

图6是示出图5所示的控制逻辑430的配置的示例性代表的示图。

具体实施方式

各种实施例可以针对包括在半导体装置中的电容测量电路，并且电容测量电路能够精确地测量包括在半导体装置中的器件的电容。

作为参考，可以提供包括附加组件的实施例。此外，指示信号或电路的激活状态的高电平配置或低电平配置可以根据实施例而改变。此外，可以修改实现相同功能所需的晶体管的配置。即，根据具体情况，PMOS晶体管的配置和NMOS晶体管的配置可以彼此替换。如果需要，可以应用各种晶体管来实现这些配置。