[发明专利]沉积IV族半导体的方法及相关的半导体器件结构

权利要求书

1.一种在衬底的表面上沉积IV族半导体的方法，所述方法包括：

在反应室内提供衬底；

加热所述衬底至沉积温度；

暴露所述衬底于至少一种IV族前体；和

暴露所述衬底于至少一种IIIA族掺杂剂前体，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含：硼氢化物、有机硼氢化物、卤化物或有机卤化物中的至少之一。

2.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含选自以下的硼氢化物：硼氢化镓(Ga(BH₄)₃)、硼氢化铝(Al(BH₄)₃)或硼氢化铟(In(BH₄)₃)。

3.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含具有通式Y_xM(BH₄)_3-x的硼氢化物，其中Y独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；x为0-2的整数。

4.根据权利要求1所述的方法，其中所述至少一种IIIA族掺杂剂前体包含具有式R_xM(BH₄)_3-x的有机硼氢化物，其中R独立地选自CH₃、C₂H₅、C₆H₅、CF₃SO₃和NH₂；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；x为1-3的整数。

5.根据权利要求1所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式Z_xMY_3-x的卤化物，其中Z独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。

6.根据权利要求5所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式(Z_xMY_3-x)₂的卤化物，其中Z独立地选自氢、氘、氯、溴和碘；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。

7.根据权利要求1所述的方法，其中所述IIIA族掺杂剂前体包含具有通式R_xMY_3-x的有机卤化物，其中R独立地选自CH₃、C₂H₅、C₆H₅、CF₃SO₃和NH₂；M为IIIA族金属，独立地选自镓、铝和铟；Y为卤化物，独立地选自氯、溴和碘；x为0-3的整数。

8.根据权利要求1所述的方法，其中加热所述衬底至沉积温度还包括加热所述衬底至大约280℃和大约700℃之间的温度。