[发明专利]TFT基板及其制作方法有效

专利信息
申请号: 201810595331.2 申请日: 2018-06-11
公开(公告)号: CN108878445B 公开(公告)日: 2021-01-26
发明(设计)人: 尹易彪 申请(专利权)人: TCL华星光电技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: tft 及其 制作方法
【权利要求书】:

1.一种TFT基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)和衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应位于栅极(20)上方的有源层(40)、分别设于所述有源层(40)两侧的源/漏极(50)、以及设于所述源/漏极(50)上的钝化层(60);其中,所述源/漏极(50)包括设于所述有源层(40)上的阻挡层(51)和设于所述阻挡层上的金属层(52),所述阻挡层(51)包括无机非晶态导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;

所述有源层(40)为多晶硅层,其两侧为经过N型掺杂或P型掺杂的区域,作为源/漏极接触区(42);

所述无机非晶态导电材料包括离子导电陶瓷;

所述金属层(52)的材料选自铝、钼中的至少一种。

2.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板(10)上形成栅极(20);

在栅极(20)上形成栅极绝缘层(30);

在栅极绝缘层(30)上对应栅极(20)上方的位置形成有源层(40),所述有源层(40)包括沟道区(41)及位于沟道区(41)两侧的源/漏极接触区(42);

在所述有源层(40)上形成阻挡层(51),在所述阻挡层(51)上形成金属层(52);对所述阻挡层(51)和金属层(52)进行湿蚀刻,形成源/漏极(50);

在所述源/漏极(50)上形成钝化层(60);

所述阻挡层(51)包括无机非晶态导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;

在栅极绝缘层(30)上沉积一层非晶硅层,并通过激光快速热退火技术使非晶硅层转变为多晶硅层,再在多晶硅层上涂布一层光阻,通过一道光刻制程形成图案化的多晶硅层;对图案化的多晶硅层的两侧进行离子注入,形成位于图案化的多晶硅层两侧的源/漏极接触区(42)和位于图案化的多晶硅层两侧的源/漏极接触区(42)之间的沟道区(41),得到有源层(40);

所述无机非晶态导电材料包括离子导电陶瓷;

所述金属层(52)的材料选自铝、钼中的至少一种。

3.一种TFT基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)和衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应位于栅极(20)上方的有源层(40)、分别设于所述有源层(40)两侧的源/漏极(50)、以及设于所述源/漏极(50)上的钝化层(60);其中,所述源/漏极(50)包括设于所述有源层(40)上的阻挡层(51)和设于所述阻挡层上的金属层(52),所述阻挡层(51)包括有机导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;

所述有机导电材料包括导电高分子材料或复合有机导电材料;

所述导电高分子材料包括聚吡咯、聚苯胺和聚氮化硫中的一种或多种;所述复合有机导电材料包括导电银胶。

4.如权利要求3所述的TFT基板,其特征在于,所述金属层(52)的材料选自铜、铝、钼中的至少一种。

5.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括:

在衬底基板(10)上形成栅极(20);

在栅极(20)上形成栅极绝缘层(30);

在栅极绝缘层(30)上对应栅极(20)上方的位置形成有源层(40),所述有源层(40)包括沟道区(41)及位于沟道区(41)两侧的源/漏极接触区(42);

在所述有源层(40)上形成阻挡层(51),在所述阻挡层(51)上形成金属层(52);对所述阻挡层(51)和金属层(52)进行湿蚀刻,形成源/漏极(50);

在所述源/漏极(50)上形成钝化层(60);

所述阻挡层(51)包括有机导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;

所述有机导电材料包括导电高分子材料或复合有机导电材料;

所述导电高分子材料包括聚吡咯、聚苯胺和聚氮化硫中的一种或多种;所述复合有机导电材料包括导电银胶。

6.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述金属层(52)的材料选自铜、铝、钼中的至少一种。

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