[发明专利]TFT基板及其制作方法有效
申请号: | 201810595331.2 | 申请日: | 2018-06-11 |
公开(公告)号: | CN108878445B | 公开(公告)日: | 2021-01-26 |
发明(设计)人: | 尹易彪 | 申请(专利权)人: | TCL华星光电技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 及其 制作方法 | ||
1.一种TFT基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)和衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应位于栅极(20)上方的有源层(40)、分别设于所述有源层(40)两侧的源/漏极(50)、以及设于所述源/漏极(50)上的钝化层(60);其中,所述源/漏极(50)包括设于所述有源层(40)上的阻挡层(51)和设于所述阻挡层上的金属层(52),所述阻挡层(51)包括无机非晶态导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;
所述有源层(40)为多晶硅层,其两侧为经过N型掺杂或P型掺杂的区域,作为源/漏极接触区(42);
所述无机非晶态导电材料包括离子导电陶瓷;
所述金属层(52)的材料选自铝、钼中的至少一种。
2.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板(10)上形成栅极(20);
在栅极(20)上形成栅极绝缘层(30);
在栅极绝缘层(30)上对应栅极(20)上方的位置形成有源层(40),所述有源层(40)包括沟道区(41)及位于沟道区(41)两侧的源/漏极接触区(42);
在所述有源层(40)上形成阻挡层(51),在所述阻挡层(51)上形成金属层(52);对所述阻挡层(51)和金属层(52)进行湿蚀刻,形成源/漏极(50);
在所述源/漏极(50)上形成钝化层(60);
所述阻挡层(51)包括无机非晶态导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;
在栅极绝缘层(30)上沉积一层非晶硅层,并通过激光快速热退火技术使非晶硅层转变为多晶硅层,再在多晶硅层上涂布一层光阻,通过一道光刻制程形成图案化的多晶硅层;对图案化的多晶硅层的两侧进行离子注入,形成位于图案化的多晶硅层两侧的源/漏极接触区(42)和位于图案化的多晶硅层两侧的源/漏极接触区(42)之间的沟道区(41),得到有源层(40);
所述无机非晶态导电材料包括离子导电陶瓷;
所述金属层(52)的材料选自铝、钼中的至少一种。
3.一种TFT基板,其特征在于,包括衬底基板(10)、设于所述衬底基板(10)上的栅极(20)、设于所述栅极(20)和衬底基板(10)上的栅极绝缘层(30)、设于所述栅极绝缘层(30)上且对应位于栅极(20)上方的有源层(40)、分别设于所述有源层(40)两侧的源/漏极(50)、以及设于所述源/漏极(50)上的钝化层(60);其中,所述源/漏极(50)包括设于所述有源层(40)上的阻挡层(51)和设于所述阻挡层上的金属层(52),所述阻挡层(51)包括有机导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;
所述有机导电材料包括导电高分子材料或复合有机导电材料;
所述导电高分子材料包括聚吡咯、聚苯胺和聚氮化硫中的一种或多种;所述复合有机导电材料包括导电银胶。
4.如权利要求3所述的TFT基板,其特征在于,所述金属层(52)的材料选自铜、铝、钼中的至少一种。
5.一种TFT基板的制作方法,其特征在于,包括:
在衬底基板(10)上形成栅极(20);
在栅极(20)上形成栅极绝缘层(30);
在栅极绝缘层(30)上对应栅极(20)上方的位置形成有源层(40),所述有源层(40)包括沟道区(41)及位于沟道区(41)两侧的源/漏极接触区(42);
在所述有源层(40)上形成阻挡层(51),在所述阻挡层(51)上形成金属层(52);对所述阻挡层(51)和金属层(52)进行湿蚀刻,形成源/漏极(50);
在所述源/漏极(50)上形成钝化层(60);
所述阻挡层(51)包括有机导电材料,用于阻挡所述源/漏极(50)的金属原子向有源层(40)扩散;
所述有机导电材料包括导电高分子材料或复合有机导电材料;
所述导电高分子材料包括聚吡咯、聚苯胺和聚氮化硫中的一种或多种;所述复合有机导电材料包括导电银胶。
6.如权利要求5所述的TFT基板的制作方法,其特征在于,所述金属层(52)的材料选自铜、铝、钼中的至少一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的