[发明专利]TFT基板及其制作方法

说明书

本发明提供一种TFT基板及其制作方法。本发明的TFT基板的源/漏极包括金属层和由无机非晶态导电材料或有机导电材料形成的阻挡层，阻挡层设于有源层的源/漏极接触区和源/漏极的金属层之间，由于无机非晶态导电材料或有机导电材料的各向同性，不会形成类似晶界的扩散通道，能够阻挡源/漏极的金属原子向有源层的扩散，同时在湿蚀刻形成源/漏极的制程时不会产生电位差，能够防止金属层被电化学腐蚀。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种TFT基板及其制作方法。

背景技术

平面显示装置具有机身薄、省电、无辐射等众多优点，得到了广泛地应用。现有的平面显示装置主要包括液晶显示器(Liquid Crystal Display，LCD)及有机电致发光显示器(Organic Light Emitting Display，OLED)。

液晶显示器及有机电致发光显示器均需要TFT(Thin Film Transistor，薄膜晶体管)基板并通过TFT基板上的TFF元件进行驱动。因此，薄膜晶体管作为目前液晶显示装置和有源矩阵型OLED显示装置中的主要驱动元件，直接关系到高性能平板显示装置的发展方向。

以底栅型薄膜晶体管为例，图1为现有技术中的TFT基板结构示意图，TFT基板包括衬底基板100、设于所述衬底基板100上的栅极200、设于所述栅极200上的栅极绝缘层300、设于所述栅极绝缘层300上的半导体层400、设于所述半导体层400上的源/漏极500以及设于源/漏极500上的钝化层600。现有技术中半导体层通常采用多晶硅或非晶硅(其中多晶硅相对于非晶硅具有更高的电子迁移率)，源/漏极500采用金属材料，如铜(Cu)、钼(Mo)、铝(Al)，或者它们的层叠结构或者合金等。如图1所示，源/漏极500采用Cu/Mo的双层结构，所述源/漏极500包括Mo金属层510和Cu金属层520，Cu相较于Al具有更低的电阻率及化学活泼性，应用于TFT的源/漏极，能够有效地降低面板导线电阻且不容易被氧化，Mo用于阻挡Cu向Si材料的有源层的扩散。但当采用湿制程对Cu/Mo的源/漏极金属层进行蚀刻形成源/漏极时，Cu、Mo和蚀刻液之间形成原电池而造成对Cu的腐蚀。如图2中虚线框内放大所示，Cu被掏空，被掏空处可能导致蚀刻液残留并进一步影响有源层沟道，严重时会导致上层的钝化层结构存在断膜的风险，故而当钝化层上层还需沉积并蚀刻形成金属电极线等结构时，可能会造成这些金属电极线遗留在断膜处而发生短路或者与源/漏极之间的短路。

发明内容

本发明的目的在于提供一种TFT基板，其源/漏极包括金属层和由无机非晶态导电材料或有机导电材料形成的阻挡层，阻挡层能够阻挡源/漏极的金属原子向有源层的扩散，且湿蚀刻时能够防止金属层被电化学腐蚀。

本发明的另一目的在于提供一种TFT基板的制作方法，在有源层上沉积一层无机非晶态导电材料或有机导电材料的阻挡层，再沉积一层金属层，在对该阻挡层和源/漏极金属层进行湿蚀刻时，不会造成金属层的电化学腐蚀。

为实现上述目的，本发明首先提供一种TFT基板，包括衬底基板、设于所述衬底基板上的栅极、设于所述栅极和衬底基板上的栅极绝缘层、设于所述栅极绝缘层上且对应位于栅极上方的有源层、分别设于所述有源层两侧的源/漏极，以及设于所述源/漏极上的钝化层；其中，所述源/漏极包括设于所述有源层上的阻挡层和设于所述阻挡层上的金属层，所述阻挡层包括无机非晶态导电材料或有机导电材料，用于阻挡所述源/漏极的金属原子向有源层扩散。

所述无机非晶态导电材料包括N型掺杂或P型掺杂的非晶硅材料、非晶硅石墨烯、离子导电陶瓷或离子注入型氧化物半导体。

所述有机导电材料包括导电高分子材料或复合有机导电材料。

所述导电高分子材料包括聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩和聚氮化硫中的一种或多种；所述复合有机导电材料包括导电银胶。

所述金属层的材料选自铜、铝、钼中的至少一种。