[发明专利]全包覆式栅极结构及其制造方法

权利要求书

1.一种全包覆式栅极结构，其包含：

第一晶体管，其包含：

半导体衬底，其具有顶部表面；

第一鳍片，其延伸自所述半导体衬底；

第一纳米结构，其在所述第一鳍片上方且在第一源极与第一漏极之间，其中所述第一源极和所述第一漏极在所述第一纳米结构的纵向端部处，且所述第一纳米结构在隔离结构上方延伸；

第一栅极结构，其在所述第一纳米结构周围；

内间隔件，其在所述第一栅极结构与所述第一源极之间；及

隔离层，其在所述半导体衬底的所述顶部表面与所述第一源极和所述第一漏极之间，其中所述隔离层与所述第一鳍片的经延伸顶部表面直接接触，且

其中所述内间隔件及所述隔离层由相同材料组成，且所述隔离层与所述内间隔件直接接触。

2.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述隔离层与所述第一纳米结构接触。

3.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述半导体衬底的所述顶部表面与所述第一纳米结构的底部之间的距离大于所述内间隔件的厚度。

4.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述第一纳米结构包含硅锗纳米结构。

5.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述内间隔件具有带有凹入中心部分的C形结构，且所述第一源极的部分嵌入于所述凹入中心部分中。

6.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述隔离层包含氮。

7.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述第一纳米结构包含硅纳米结构。

8.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其进一步包含：

第二晶体管，其包含：

第二纳米结构，其在所述衬底的所述顶部表面上方且在第二源极与第二漏极之间；

第二栅极结构，其在所述第二纳米结构周围，

其中所述第一纳米结构和所述第二纳米结构被配置成允许相反导电类型的载流子通过。

9.根据权利要求1所述的全包覆式栅极结构，其中所述隔离层高于所述隔离结构的顶部表面。

10.一种半导体结构，其包含：

晶体管，其包含：

半导体衬底，其具有顶部表面；

多个纳米结构，其堆叠在所述半导体衬底的所述顶部表面上方且在隔离结构上方延伸；

源极，其在所述多个纳米结构的纵向端部处包覆所述多个纳米结构；

内间隔件，其在所述多个纳米结构与所述源极之间；及

隔离层，其与所述半导体衬底的所述顶部表面接触，其中所述隔离层低于所述多个纳米结构的底部纳米结构且高于所述隔离结构的顶部表面，所述隔离层与所述多个纳米结构的所述底部纳米结构的顶部表面以及所述半导体衬底的所述顶部表面直接接触，且所述隔离层与所述内间隔件直接接触。

11.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述源极间隔开所述多个纳米结构的所述底部纳米结构与所述隔离层。

12.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述内间隔件具有带有凹入中心部分的C形结构，且所述源极的部分嵌入于所述凹入中心部分中。

13.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述内间隔件包含氮。

14.根据权利要求10所述的半导体结构，其中所述半导体衬底的所述顶部表面与所述底部纳米结构之间的距离大于所述内间隔件的厚度。

15.根据权利要求10所述的半导体结构，其进一步包含：

鳍片结构，其在所述隔离结构上方延伸；及

衬层，其形成于所述鳍片结构的侧壁上，其中所述隔离层与所述衬层直接接触。