[发明专利]一种光致发光光谱处理的方法和装置在审
申请号: | 201810601407.8 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN108956550A | 公开(公告)日: | 2018-12-07 |
发明(设计)人: | 李昱桦;乔楠;刘春杨;胡加辉;李鹏 | 申请(专利权)人: | 华灿光电(浙江)有限公司 |
主分类号: | G01N21/63 | 分类号: | G01N21/63 |
代理公司: | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人: | 徐立 |
地址: | 322000 浙江省*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光致发光光谱 外延片 测试 像素 方法和装置 半导体技术领域 分析效率 光致发光 光谱 分析 | ||
1.一种光致发光光谱处理的方法,其特征在于,所述方法包括:
获取待测试外延片的光致发光光谱;
获取所述待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值;
根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型。
2.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型,包括:
获取各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值;
分别将各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值,与所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值进行比较,计算出各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光发光谱的相似度;
选择光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度最高的缺陷外延片;
当选择的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度小于相似度阈值时,确定所述待测试外延片不存在缺陷;
当选择的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度大于或等于相似度阈值时,确定所述待测试外延片存在缺陷,并将选择的缺陷外延片所属的缺陷类型作为所述待测试外延片所属的缺陷类型。
3.根据权利要求1所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型,包括:
确定所述待测试外延片的光致发光发光谱中参数值小于缺陷阈值的像素;
统计所述待测试外延片的光致发光发光谱中参数值小于缺陷阈值的像素所占的比例;
当统计的比例小于比例阈值时,确定所述待测试外延片不存在缺陷;
当统计的比例大于或等于比例阈值时,确定所述待测试外延片存在缺陷,并根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片所属的缺陷类型。
4.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片所属的缺陷类型,包括:
获取各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值;
分别将各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值,与所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值进行比较,计算出各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光发光谱的相似度;
选择光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度最高的缺陷外延片,并将选择的缺陷外延片所属的缺陷类型作为所述待测试外延片所属的缺陷类型。
5.根据权利要求3所述的方法,其特征在于,所述根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片所属的缺陷类型,包括:
获取所述待测试外延片的光致发光发光谱中参数值小于缺陷阈值的像素所在的位置;
根据获取的位置,确定所述待测试外延片所属的缺陷类型。
6.一种光致发光光谱处理的装置,其特征在于,所述装置包括:
光谱获取模块,用于获取待测试外延片的光致发光光谱;
参数获取模块,用于获取所述待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值;
确定模块,用于根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值,确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型。
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