[发明专利]一种光致发光光谱处理的方法和装置

说明书

本发明公开了一种光致发光光谱处理的方法和装置，属于半导体技术领域。包括：获取待测试外延片的光致发光光谱；获取待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值；根据待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值，确定待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型。本发明通过在获取到待测试外延片的光致发光光谱之后，获取待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值，并根据待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值，确定待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型，由设备自主完成对外延片的光致发光光谱的分析，有效避免人为分析所导致的效率低、准确性和稳定性差的问题，提高了分析效率以及分析结果的准确性和稳定性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种光致发光光谱处理的方法和装置。

背景技术

光致发光(英文：Photoluminescence，简称：PL)是冷发光的一种，指物质吸收光子(或电磁波)后重新辐射出光子(或电磁波)的过程。在量子力学理论上，这一过程可以描述为物质吸收光子跃迁到较高能级的激发态后返回低能态，同时放出光子的过程。光致发光光谱(英文：Photoluminescence Spectroscopy，简称：PL谱)指物质在光的激励下，电子从价带跃迁至导带并在价带留下空穴；电子和空穴在各自的导带和价带中通过弛豫达到各自未被占据的最低激发态(在本征半导体中即导带底和价带顶)，成为准平衡态；准平衡态下的电子和空穴再通过复合发光，形成不同波长光的强度或能量分布的光谱图。

发光二极管(英文：Light Emitting Diode，简称：LED)是一种可以把电能转化成光能的半导体二极管。外延片是指在一块加热至适当温度的衬底基片(主要有蓝宝石、碳化硅、硅等)上所生长出的特定单晶薄膜。外延片处于LED产业链中的上游环节，是半导体照明产业技术含量最高、对最终产品品质和产品控制影响最大的环节。因此在外延片生长完之后，通常会对外延片进行光致发光测试，得到外延片的光致发光光谱，并由技术人员对外延片的光致发光光谱进行分析，确定外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型。

在实现本发明的过程中，发明人发现现有技术至少存在以下问题：

光致发光光谱由技术人员人为进行分析，分析的效率较低；而且分析结果取决于技术人员的专业水平，由于技术人员的专业水平不可能完全一致，因此分析结果的准确性和稳定性均较差。

发明内容

本发明实施例提供了一种光致发光光谱处理的方法和装置，能够解决现有技术人为分析光致发光光谱导致的分析效率较低、分析结果的准确性和稳定性较差的问题。所述技术方案如下：

一方面，本发明实施例提供了一种光致发光光谱处理的方法，所述方法包括：

获取待测试外延片的光致发光光谱；

获取所述待测试外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值；

根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值，确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型。

可选地，所述根据所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值，确定所述待测试外延片是否存在缺陷以及缺陷的类型，包括：

获取各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值；

分别将各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱中各个像素的参数值，与所述待测试外延片的光致发光发光谱中各个像素的参数值进行比较，计算出各种类型的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光发光谱的相似度；

选择光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度最高的缺陷外延片；

当选择的缺陷外延片的光致发光光谱与所述待测试外延片的光致发光光谱的相似度小于相似度阈值时，确定所述待测试外延片不存在缺陷；