[发明专利]一种半导体芯片生产工艺有效
申请号: | 201810603894.1 | 申请日: | 2018-06-12 |
公开(公告)号: | CN108723977B | 公开(公告)日: | 2020-06-12 |
发明(设计)人: | 吴宇祥 | 申请(专利权)人: | 江苏矽智半导体科技有限公司 |
主分类号: | B24B37/005 | 分类号: | B24B37/005;B24B37/11;B24B37/27;B24B37/34;B28D5/00 |
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地址: | 226400 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 半导体 芯片 生产工艺 | ||
1.一种半导体芯片生产工艺,其特征在于,该工艺包括以下步骤:
步骤一:将块状的复晶硅置于石英坩埚内,加热使其完全融化;
步骤二:将步骤一中的硅熔浆温度稳定后依次进行晶种的颈部成长、晶冠成长、晶体成长和尾部成长;
步骤三:将步骤二中成长后的晶棒放入到切片机中进行切片;
步骤四:将步骤三中切片后的晶棒放入到研磨机中进行研磨;
步骤五:将步骤四中研磨后的晶棒放入到下一工序;
其中,研磨机包括箱体(1)、一号气压缸(2)、上磨盘(3);还包括研磨模块(4)、控制模块(5)和收集箱(6);所述一号气压缸(2)固定安装在箱体(1)顶部,一号气压缸(2)底部固定安装有上磨盘(3),一号气压缸(2)用于控制上磨盘(3)与研磨模块(4)配合对半导体硅晶圆进行研磨;所述研磨模块(4)包括一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8),所述一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)是相同结构;所述一号研磨模块(7)安装在控制模块(5)上;所述二号研磨模块(8)位于一号研磨模块(7)的下方;所述一号研磨模块(7)用于与上磨盘(3)配合对半导体硅晶圆进行研磨;所述控制模块(5)位于箱体(1)的中部,控制模块(5)用于控制一号研磨模块(7)和二号研磨模块(8)的翻转;所述收集箱(6)固定安装在箱体(1)底部,收集箱(6)用于将半导体硅晶圆清理后的灰尘进行收集;其中,
所述控制模块(5)包括第一电机(51)、一号转动板(54)、一号杆(55)、二号杆(56);所述第一电机(51)固定在箱体(1)侧壁上;所述第一电机(51)转轴固连着一号转动板(54);所述一号杆(55)贯穿一号转动板(54)并和一号转动板(54)固连,所述一号杆(55)的两端分别滑动安装在箱体(1)侧壁的环形槽(92)内,所述二号杆(56)与一号杆(55)以第一电机(51)的转轴对称设置;
所述一号研磨模块(7)包括下磨盘(71)、一号伸缩杆(72)、二号转动盘(73)和第二电机(74);一号研磨模块(7)的第二电机(74)固定安装在一号杆(55)上,二号研磨模块(8)的第二电机(74)固定安装在二号杆(56)上;所述第二电机(74)输出轴与二号转动盘(73)固定连接;所述二号转动盘(73)通过一组并联的一号伸缩杆(72)安装在下磨盘(71)上;所述二号转动盘(73)顶部设有固定块,所述固定块通过弹簧固定连接有摆动球(731);所述二号研磨模块(8)与一号研磨模块(7)对称设置;所述下磨盘(71)底部设有一组为圆心位于同一水平线上且水平布置的圆形槽(9),一组圆形槽(9)的直径大小向下磨盘(71)外侧依次减小;所述二号转动盘(73)顶部设有和下磨盘(71)的相匹配的圆形槽(9)。
2.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺,其特征在于:所述第一电机(51)固定在箱体(1)一侧的侧壁上,所述第一电机(51)的转轴端头固定连接有一号转动板(54);所述箱体(1)的另一侧的侧壁上固定安装着第三电机(91),第三电机(91)的转轴端头固连着一号轮(521),所述一号轮(521)外侧固定连接有支撑座(522);所述一号转动板(54)由两个二号转动板(541)和两个三号转动板(542)组成;所述两个二号转动板(541)与第一电机(51)转轴固连且两个二号转动板(541)对称分布;三号转动板(542)插接在二号转动板(541)上;所述一号杆(55)与三号转动板(542)固定连接;所述二号杆(56)与三号转动板(542)固定连接,所述环形槽(92)顶部设有避让一号杆(55)和二号杆(56)的避让槽。
3.根据权利要求1所述的一种半导体芯片生产工艺,其特征在于:所述下磨盘(71)两侧设有出气管(711),下磨盘(71)内部设有一号槽(712);所述一号槽(712)中设有阻挡块(713),一号槽(712)连通着圆形槽(9)底部,所述圆形槽(9)底部设有弹片(714),一号槽(712)一侧连接着出气管(711),摆动球(731)能够挤压弹片(714)并通过出气管(711)喷出气流。
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