[发明专利]一种半导体芯片生产工艺

说明书

本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺，该工艺采用研磨机，该研磨机包括箱体、一号气压缸、上磨盘、研磨模块、控制模块和收集箱；所述研磨模块包括一号研磨模块和二号研磨模块且均为相同结构；所述一号研磨模块安装在控制模块上；所述二号研磨模块位于一号研磨模块的下方，所述控制模块位于箱体的中部；所述收集箱固定安装在箱体底部；摆动球转动时依次通过不同大小的圆形槽，使得下磨盘受到摆动球的挤压而向一侧倾斜，加大了晶圆与上磨盘的接触面积；同时摆动球受到一号板弹力和离心力的共同作用，使得摆动球撞击下磨盘，使得下磨盘产生晃动，从而提高了研磨效率。

技术领域

本发明属于半导体制造技术领域，具体的说是一种半导体芯片生产工艺。

背景技术

机械研磨工艺是一种能提供半导体晶圆全局和局部平坦化的工艺技术。机械研磨工艺已被广泛用于层间介质、金属层或浅沟槽隔离的去除和平整，成为半导体制造中重要的工艺。

半导体芯片的生产中需要进行半导体晶圆的研磨，半导体晶圆研磨的好坏主要由于切割的形状决定，不规则形状的半导体晶圆在研磨时，虽然可以研磨完成，但是其研磨效率十分的低。

在传统的半导体晶圆研磨设备中，由研磨头的半导体晶圆保持板(承载件)保持待研磨半导体晶圆，使半导体晶圆的表面与贴附在研磨板的上表面上的研磨布接触，并且在将研磨液供给到研磨布上的状态下，使研磨板和研磨头彼此相对移动，使得能够对半导体晶圆的表面进行研磨。

现有技术中也出现了一些半导体晶圆研磨的技术方案，如申请号为201310641959.9的一项中国专利公开了一种半导体晶圆研磨设备包括研磨板、能够保持半导体晶圆的研磨头和研磨液供给部。该研磨板包括：多个同心的研磨区，各研磨区均具有用于研磨半导体晶圆的规定宽度并且在各研磨区上均贴附研磨布；以及用于排出研磨液的槽，该槽形成在研磨区之间。用于清洁研磨头的头清洁部或用于清洁研磨后的半导体晶圆的半导体晶圆清洁部设置到研磨板的中心部分并且位于最内侧研磨区。

该技术方案能够保证硅晶圆的研磨和清洁；但是该方案不能有效的针对不同规则形状的硅晶圆，当硅晶圆端头切斜，使用常规的研磨工艺，需要从顶部一点点向下研磨，其研磨效率较低，使得该方案的受到限制。

发明内容

为了弥补现有技术的不足，本发明提出的一种半导体芯片生产工艺，该工艺采用研磨机，该研磨机在一号研磨模块和二号研磨模块翻转后，通过一号轮中支撑座将一号杆或二号杆支撑起，实现一号研磨模块和二号研磨模块分别进行研磨或清理。

本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：本发明提出的一种半导体芯片生产工艺，该工艺包括以下步骤：

步骤一：将块状的复晶硅置于石英坩埚内，加热使其完全融化；

步骤二：将步骤一中的硅熔浆温度稳定后依次进行晶种的颈部成长、晶冠成长、晶体成长和尾部成长；

步骤三：将步骤二中成长后的晶棒放入到切片机中进行切片；

步骤四：将步骤三中切片后的晶棒放入到研磨机中进行研磨；

步骤五：将步骤四中研磨后的晶棒放入到下一工序；

其中，研磨机包括箱体、一号气压缸、上磨盘；还包括研磨模块、控制模块和收集箱；所述一号气压缸固定安装在箱体顶部，一号气压缸底部固定安装有上磨盘，一号气压缸用于控制上磨盘与研磨模块配合对半导体硅晶圆进行研磨；所述研磨模块包括一号研磨模块和二号研磨模块，所述一号研磨模块和二号研磨模块是相同结构；所述一号研磨模块安装在控制模块上；所述二号研磨模块位于一号研磨模块的下方；所述一号研磨模块用于与上磨盘配合对半导体硅晶圆进行研磨；所述控制模块位于箱体的中部，控制模块用于控制一号研磨模块和二号研磨模块的翻转；所述收集箱固定安装在箱体底部，收集箱用于将半导体硅晶圆清理后的灰尘进行收集；其中，