[发明专利]半导体结构

权利要求书

1.一种半导体结构，包括：

一基板，具有一第一掺杂型态；

一金属层，形成于该基板的表面；

一第一栅极，形成于该基板上；

一第一漏极，形成于该基板中，位于该第一栅极的一侧，并与该金属层相邻；

一第一源极，形成于该基板中，位于该第一栅极的另一侧；

一第二栅极，形成于该基板上；

一第二漏极，形成于该基板中，位于该第二栅极的一侧，并与该第一漏极及该金属层相邻；

一第二源极，形成于该基板中，位于该第二栅极的另一侧；以及

一连续式第一掺杂区，形成于该基板中，包围该金属层、该第一漏极与该第二漏极，该第一掺杂区具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态与该第一掺杂型态不同，其中该金属层与该第一漏极、该第二漏极、该第一掺杂区接触构成一肖特基二极管。

2.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源极、该第二源极与该第一漏极、该第二漏极为N掺杂。

3.如权利要求2所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P掺杂、以及该第二掺杂型态为N掺杂。

4.如权利要求3所述的半导体结构，更包括一隔离结构，形成于该第一掺杂区内，位于该第一漏极、该第二漏极的一侧。

5.如权利要求1所述的半导体结构，其中该第一源极、该第二源极与该第一漏极、该第二漏极为P掺杂。

6.如权利要求5所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为N掺杂、以及该第二掺杂型态为P掺杂。

7.如权利要求6所述的半导体结构，更包括一隔离结构，形成于该第一掺杂区内，位于该第一漏极、该第二漏极的一侧。

8.一种半导体结构，包括：

一基板，具有一第一掺杂型态；

一金属层，形成于该基板的表面；

两第一掺杂区，形成于该基板中，彼此相邻，并与该金属层相邻；

两第二掺杂区，形成于该基板中，分别相对于该两第一掺杂区；以及

一连续式第三掺杂区，形成于该基板中，包围该金属层与该两第一掺杂区，该第三掺杂区具有一第二掺杂型态，且该第二掺杂型态与该第一掺杂型态不同，其中该金属层与该两第一掺杂区、该第三掺杂区接触构成一肖特基二极管。

9.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区为N掺杂。

10.如权利要求9所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P掺杂、以及该第二掺杂型态为N掺杂。

11.如权利要求10所述的半导体结构，更包括一隔离结构，形成于该第三掺杂区内，位于该第一掺杂区的一侧。

12.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一掺杂区与该第二掺杂区为P掺杂。

13.如权利要求12所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为N掺杂、以及该第二掺杂型态为P掺杂。

14.如权利要求13所述的半导体结构，更包括一隔离结构，形成于该第三掺杂区内，位于该第一掺杂区的一侧。

15.如权利要求8所述的半导体结构，其中该第一掺杂区为P掺杂，该第二掺杂区为N掺杂。

16.如权利要求15所述的半导体结构，其中该第一掺杂型态为P掺杂、以及该第二掺杂型态为N掺杂。

17.如权利要求16所述的半导体结构，更包括一隔离结构，形成于该第三掺杂区内，位于该第一掺杂区的一侧。