[发明专利]晶体材料熔化方法及熔化设备

说明书

本发明公开了一种晶体材料熔化方法及熔化设备，通过在坩埚上连接振动机构，使晶体材料在熔化过程中保持振动，气泡气体能够向上顺利排出；同时，通过在坩埚外部自下而上设置至少两段加热器，自下而上依次间隔的对坩埚进行加热，使坩埚中的晶体材料从底部开始熔化，并逐步向上熔化，直至全部熔化；晶体材料在熔化过程中，气泡气体能够进一步向上顺利排出，保证熔化后的晶体材料中不含气体，避免人工晶体材料在生长过程中内部出现的气泡和孔洞问题，提高人工晶体材料的质量和成品率。

技术领域

本发明涉及人工晶体生长技术领域，特别涉及一种晶体材料熔化方法及熔化设备。

背景技术

半导体材料、光电子材料等人工晶体材料在生长过程中，经常会出现气泡、孔洞等质量问题，严重影响到材料的品质和成品率。为了降低人工晶体材料中的气泡和孔洞，提高人工晶体材料的质量和成品率，需要改进人工晶体材料的生长方法。

发明内容

本发明的目的是提供一种晶体材料熔化方法及熔化设备，解决现有技术中人工晶体材料内部存在的气泡和孔洞问题，提高人工晶体生长的质量和成品率。

为达到上述目的，本发明采用的技术方案是：

一种晶体材料熔化方法，加热坩埚中的晶体材料，并同步振动所述坩埚，使所述坩埚中的晶体材料在熔化过程中保持振动，熔化的晶体材料中的气泡上升，从所述坩埚中向外逸出。

优选地，加热所述坩埚中的晶体材料，使其自下而上逐步熔化，下方熔化的晶体材料中的气泡上升，从上方未熔化的晶体材料之间的缝隙中向外逸出；直至最上方的晶体材料熔化，最上方熔化的晶体材料中的气泡上升，从所述坩埚中向外逸出。

更优选地，在所述坩埚外部自下而上设置至少两段用于独立加热所述坩埚的加热器。

更进一步优选地，首先开启下方的所述加热器，使其熔化所述坩埚中对应的下方晶体材料，并且不熔化上方的所述加热器在所述坩埚中对应的上方晶体材料，下方熔化的晶体材料中的气泡上升，从上方未熔化的晶体材料之间的缝隙中向外逸出；接着开启上方的所述加热器，使其熔化所述坩埚中对应的上方晶体材料，上方熔化的晶体材料中的气泡上升，从所述坩埚中向外逸出。

一种晶体材料熔化设备，包括坩埚、连接在所述坩埚上的用于振动所述坩埚的振动机构、设于所述坩埚外部的加热机构，所述加热机构自下而上至少包括两段用于独立加热所述坩埚的加热器。

优选地，所述加热机构工作时，至少两段所述加热器自下而上依次间隔开启。

优选地，所述加热器环设于所述坩埚的外侧周部，所述加热器与所述坩埚之间间隙分布。

优选地，所述振动机构包括振动器、两端分别连接在所述振动器和所述坩埚上的连接轴。

更优选地，所述连接轴的上端连接所述坩埚的底部，所述连接轴的下端连接所述振动器。

更优选地，所述连接轴与所述坩埚同轴延伸。

由于上述技术方案的运用，本发明与现有技术相比具有下列优点：本发明一种晶体材料熔化方法及熔化设备，通过在坩埚上连接振动机构，使晶体材料在熔化过程中保持振动，气泡气体能够向上顺利排出；同时，通过在坩埚外部自下而上设置至少两段加热器，自下而上依次间隔的对坩埚进行加热，使坩埚中的晶体材料从底部开始熔化，并逐步向上熔化，直至全部熔化；晶体材料在熔化过程中，气泡气体能够进一步向上顺利排出，保证熔化后的晶体材料中不含气体，避免人工晶体材料在生长过程中内部出现的气泡和孔洞问题，提高人工晶体材料的质量和成品率。

附图说明

附图1为本发明装置的结构示意图。

其中：1、坩埚；2、加热器；3、振动器；4、连接轴；5、已熔化的晶体材料；6、未熔化的晶体材料。