[发明专利]铝线电阻的晶圆允收测试图形

权利要求书

1.一种铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于，包括：被测试铝线和4个衬垫，4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫和第四衬垫；

4个所述衬垫的排列方向和所述被测试铝线的长度方向相同；

所述被测试铝线设置在所述第二衬垫和所述第三衬垫之间，所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边接触，所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边接触；

所述第一衬垫通过第一连线和所述被测试铝线上的第一接点连接；

所述第四衬垫通过第二连线和所述被测试铝线上的第二接点连接；

所述第一接点位于所述被测试铝线的第一宽度边侧，所述第二接点位于所述被测试铝线的第二宽度边侧；

4个所述衬垫和晶圆允收测试机台的探针卡的探针相对应，所述探针和对应的所述衬垫接触为带倾角接触，所述探针和从所述被测试铝线的第一长度边到第二长度边的方向的夹角为锐角，所述探针打滑时会滑向所述被测试铝线的第一长度边的外侧，所述第一连线和所述第二连线都位于所述被测试铝线的第二长度边的外侧，使所述探针打滑时不会接触到所述第一连线和所述第二连线。

2.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述晶圆允收测试机台通过4个探针和4个所述衬垫分别连接后形成开尔文双电桥结构。

3.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述被测试铝线所模拟的对象为CMOS图像传感器的后段铝线，所述被测试铝线和所述后段铝线由同一层铝进行光刻刻蚀形成。

4.如权利要求3所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第一连线和所述第二连线都采用和所述后段铝线同一层次的铝金属光刻刻蚀形成。

5.如权利要求3所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述CMOS图像传感器为前面照度式CMOS图像传感器。

6.如权利要求3所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述后段铝线的厚度为

7.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：4个所述衬垫的俯视面结构相同。

8.如权利要求7所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：4个所述衬垫的俯视面结构都为矩形。

9.如权利要求8所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：4个所述衬垫对应的俯视面的矩形的尺寸为45μm×40μm。

10.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边通过第三连线接触。

11.如权利要求10所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第三连线和所述第一连线的金属材料相同且采用相同层的金属光刻刻蚀形成。

12.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边通过第四连线接触。

13.如权利要求12所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第四连线和所述第一连线的金属材料相同且采用相同层的金属光刻刻蚀形成。

14.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边直接接触。

15.如权利要求1所述的铝线电阻的晶圆允收测试图形，其特征在于：所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边直接接触。