[发明专利]铝线电阻的晶圆允收测试图形在审

专利信息
申请号: 201810612045.2 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN108831841A 公开(公告)日: 2018-11-16
发明(设计)人: 李岩;张武志;钱俊 申请(专利权)人: 上海华力集成电路制造有限公司
主分类号: H01L21/66 分类号: H01L21/66;G01R31/26
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 郭四华
地址: 201315 上海市浦东新区中国(上*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 铝线 测试 连线 探针 允收测试 晶圆 铝线电阻 机台 测试图形 排列方向 依次排列 扎针 探针卡 打滑 锐角
【说明书】:

发明公开了一种铝线电阻的晶圆允收测试图形,包括:被测试铝线和4个沿直线依次排列的衬垫,4个所述衬垫的排列方向和被测试铝线的长度方向相同;被测试铝线设置在第二和三衬垫之间,第二衬垫和被测试铝线的第一宽度边接触,第三衬垫和被测试铝线的第二宽度边接触;第一衬垫通过第一连线和被测试铝线上的第一接点连接;第四衬垫通过第二连线和被测试铝线上的第二接点连接;4个衬垫和晶圆允收测试机台的探针卡的探针相对应,探针和对应的衬垫接触为带倾角接触,第一和第二连线都位于扎针锐角一侧的方向上,使探针打滑时不会接触到第一和第二连线。本发明能防止探针触碰到测试图形的连线并防止由此产生的测试异常。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路,特别是涉及一种铝线电阻的晶圆允收测试图形。

背景技术

如图1所示,是现有铝线电阻的晶圆允收测试(WAT)的测试图形(Test Key)的版图,铝线电阻的测试采用开尔文双电桥结构实现,在开尔文双电桥结构中,被测试的电阻需要采用四个端口,图1所示的结构实现了铝线电阻的四端口引出结构,图1中所示的现有铝线电阻的晶圆允收测试图形包括:

被测试铝线101和4个衬垫,4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫102a、第二衬垫102b、第三衬垫102c和第四衬垫102d。

图1所示可知,被测试铝线101的长度方向和4个所述衬垫的排列方向垂直,第一衬垫102a通过连线103a连接到被测试铝线101的第一宽度边侧的一个端点上,第二衬垫102b通过连线103b连接到被测试铝线101的第一宽度边侧的一个端点上,第三衬垫102c通过连线103c连接到被测试铝线101的第二宽度边侧的一个端点上,第四衬垫102d分别通过连线103d连接到被测试铝线101的第二宽度边侧的一个端点上。

晶圆允收测试图形在测试过程中需要和晶圆允收测试机台的探针卡上的探针相配合,通过探针扎在对应的衬垫上实现测试信号的加入。实际测试中,探针和衬垫的接触不是垂直接触,而是倾斜扎入。图1中用箭头线AA表示了探针的扎针方向,探针和箭头线AA的箭头端呈钝角以及探针和箭头线AA的尾端呈锐角。由图1所示可知,由于衬垫的沿箭头线AA的上下两侧都具有连线,其中连线103a和103b位于衬垫对应的箭头线AA的上侧即箭头端侧。而由于探针是倾斜扎入,故在扎针过程中,容易产生探针滑动,且探针滑动的方向是沿箭头线AA的箭头所指方向,故连线103a和103b容易被探针扎到,这样容易使连线103a和103b产生断裂,最后出现测试异常。

例如,为了满足前面照度(FSI)的CMOS图像传感器(CIS)的光通量的需求,后段铝线的厚度通常采用的铝线厚度较薄,被探针扎到后容易产生断裂并最后出现测试异常。

在WAT测试时会出现针向上滑动,碰触test key pad上方铝线,导致AP_RS测试异常(OOS),通过优化测试结构,使铝线在pad下方走线,有效解决了因探针向上滑动导致的测试异常。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种铝线电阻的晶圆允收测试图形,能防止探针触碰到测试图形的连线并防止由此产生的测试异常。

为解决上述技术问题,本发明提供的铝线电阻的晶圆允收测试图形包括:被测试铝线和4个衬垫,4个所述衬垫分别为沿直线依次排列的第一衬垫、第二衬垫、第三衬垫和第四衬垫。

4个所述衬垫的排列方向和所述被测试铝线的长度方向相同。

所述被测试铝线设置在所述第二衬垫和所述第三衬垫之间,所述被测试铝线设置在所述第二衬垫和所述第三衬垫之间,所述第二衬垫和所述被测试铝线的第一宽度边接触,所述第三衬垫和所述被测试铝线的第二宽度边接触。

所述第一衬垫通过第一连线和所述被测试铝线上的第一接点连接。

所述第四衬垫通过第二连线和所述被测试铝线上的第二接点连接。

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