[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置有效

专利信息
申请号: 201810612079.1 申请日: 2018-06-14
公开(公告)号: CN110609795B 公开(公告)日: 2022-11-22
发明(设计)人: 柯伯政 申请(专利权)人: 群联电子股份有限公司
主分类号: G06F12/02 分类号: G06F12/02
代理公司: 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 代理人: 马雯雯;臧建明
地址: 中国台湾*** 国省代码: 台湾;71
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摘要:
搜索关键词: 存储器 管理 方法 控制电路 单元 存储 装置
【权利要求书】:

1.一种存储器管理方法,用于包括多个超实体单元的可复写式非易失性存储器模块,所述多个超实体单元至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元,其中每一个所述好超实体单元包括多个好实体抹除单元,每一个所述部分好超实体单元包括至少一个坏实体抹除单元,其特征在于,所述存储器管理方法包括:

接收主机写入指令;

根据所述可复写式非易失性存储器模块中所述多个好超实体单元与所述多个部分好超实体单元的个数比率从所述多个超实体单元选择出第一超实体单元集合,其中所述第一超实体单元集合包括按所述个数比率从所述多个超实体单元选择出的多个第一好超实体单元及至少一个第一部分好超实体单元;

将数据写入至所述第一超实体单元集合的好实体抹除单元中,以回应所述主机写入指令;以及

根据所述多个好超实体单元的个数与所述多个部分好超实体单元的个数动态地更新所述个数比率。

2.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:

根据所述可复写式非易失性存储器模块中所述好超实体单元与所述部分好超实体单元的所述个数比率从所述可复写式非易失性存储器模块中除所述第一超实体单元集合以外的剩余超实体单元之中选择出第二超实体单元集合,其中所述第二超实体单元集合包括按所述个数比率从所述剩余超实体单元选择出的多个第二好超实体单元及至少一个第二部分好超实体单元;以及

将所述数据继续写入至所述第二超实体单元集合的好实体抹除单元中。

3.根据权利要求1所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:

将所述多个超实体单元至少分组为坏超实体单元、部分好超实体单元以及好超实体单元;

对所述坏超实体单元、所述部分好超实体单元以及所述好超实体单元分别作标记;以及

更新超实体单元伫列表。

4.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其特征在于,还包括:

依据每一所述超实体单元中坏实体抹除单元的个数与每一所述超实体单元中实体抹除单元的总个数的比例将所述多个超实体单元至少分组为所述坏超实体单元、所述部分好超实体单元以及所述好超实体单元。

5.根据权利要求3所述的存储器管理方法,其特征在于,所述根据所述可复写式非易失性存储器模块中所述多个好超实体单元与所述多个部分好超实体单元的所述个数比率从所述多个超实体单元选择出所述第一超实体单元集合的步骤包括:

依据所述超实体单元伫列表选择出所述第一超实体单元集合;以及

对所述第一超实体单元集合中的多个第一好超实体单元的个数及至少一个第一部分好超实体单元的个数计数。

6.一种存储器控制电路单元,用于包括多个超实体单元的可复写式非易失性存储器模块,所述多个超实体单元至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元,其中每一个所述好超实体单元包括多个好实体抹除单元,每一个所述部分好超实体单元包括至少一个坏实体抹除单元,其特征在于,所述存储器控制电路单元包括:

主机接口,用以电性连接至主机系统;

存储器接口,用以电性连接至所述可复写式非易失性存储器模块;以及

存储器管理电路,电性连接至所述主机接口与所述存储器接口,

其中所述存储器管理电路用以接收主机写入指令,所述存储器管理电路用以根据所述可复写式非易失性存储器模块中所述多个好超实体单元与所述多个部分好超实体单元的个数比率从所述多个超实体单元选择出第一超实体单元集合,其中所述第一超实体单元集合包括按所述个数比率从所述多个超实体单元选择出的多个第一好超实体单元及至少一个第一部分好超实体单元,

其中所述存储器管理电路还用以将对应所述主机写入指令的数据写入至所述第一超实体单元集合的好实体抹除单元中,以回应所述主机写入指令,

其中所述存储器管理电路还用以根据所述多个好超实体单元的个数与所述多个部分好超实体单元的个数动态地更新所述个数比率。

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