[发明专利]存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置

说明书

本发明提供一种用于可复写式非易失性存储器模块的存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。可复写式非易失性存储器模块包括多个超实体单元，多个超实体单元至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元。所述方法包括接收主机写入指令；根据多个好超实体单元与多个部分好超实体单元的个数比率从多个超实体单元选择出第一超实体单元集合，其中第一超实体单元集合包括按个数比率从多个超实体单元选择出的多个第一好超实体单元及至少一个第一部分好超实体单元；以及将数据写入至第一超实体单元集合的好实体抹除单元中，以回应主机写入指令。

技术领域

本发明涉及一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

背景技术

数码相机、移动电话与MP3播放器在这几年来的成长十分迅速，使得消费者对存储媒体的需求也急速增加。由于可复写式非易失性存储器模块(例如，快闪存储器)具有数据非易失性、省电、体积小，以及无机械结构等特性，所以非常适合内建于上述所举例的各种可携式多媒体装置中。

为了提高快闪存储器的最高速度(即频宽)，当今快闪存储器大部分使用多通道(channel)的设计。属于不同通道且区块面不同的实体抹除单元(block)可以组成一个虚拟区块(Virtual Block，VB)(在此亦称为超实体单元)。然而因为出厂良率与使用寿命等因素(early bad/later bad)，超实体单元中的一些实体抹除单元会因坏掉而无法使用，其中，包含因坏掉而无法使用的实体抹除单元的超实体单元称之为部分好超实体单元(non allgood VB)，所有实体抹除单元皆可用的超实体单元称之为好超实体单元(all good VB)。

为了提高生产的良率以及快闪存储器的寿命，部分好超实体单元也会拿来使用。但在使用部分好超实体单元的时候，有些通道会因此通道的实体抹除单元坏掉而无法使用，就会造成整个通道闲置，浪费频宽。

请参照图1，图1为单位时间内快闪存储器的速度持续低落的示意图。当快闪存储器设计不良，单位时间内连续挑到包括有坏实体抹除单元的部分好超实体单元的话，就可能会造成单位时间内快闪存储器的速度持续低落，或是速度忽快忽慢等等性能不稳定的情形，这在许多应用上是不乐意见到的。

发明内容

本发明提供一种存储器管理方法、存储器控制电路单元与存储器存储装置。

本发明的一范例实施例提出一种存储器管理方法，用于可复写式非易失性存储器模块。可复写式非易失性存储器模块包括至少包括多个好超实体单元及多个部分好超实体单元的多个超实体单元，其中每一个好超实体单元包括多个好实体抹除单元，每一个部分好超实体单元包括至少一个坏实体抹除单元。此存储器管理方法包括：接收主机写入指令；根据可复写式非易失性存储器模块中多个好超实体单元与多个部分好超实体单元的个数比率从多个超实体单元选择出第一超实体单元集合，其中第一超实体单元集合包括按个数比率从多个超实体单元选择出的多个第一好超实体单元及至少一个第一部分好超实体单元；以及将数据写入至第一超实体单元集合的好实体抹除单元中，以回应主机写入指令。

在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括根据多个好超实体单元的个数与多个部分好超实体单元的个数动态地更新个数比率。

在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括根据可复写式非易失性存储器模块中好超实体单元与部分好超实体单元的个数比率从可复写式非易失性存储器模块中除第一超实体单元集合以外的剩余超实体单元之中选择出第二超实体单元集合，其中第二超实体单元集合包括按个数比率从剩余超实体单元选择出的多个第二好超实体单元及至少一个第二部分好超实体单元；以及将数据继续写入至第二超实体单元集合的好实体抹除单元中。

在本发明的一范例实施例中，上述存储器管理方法还包括将多个超实体单元至少分组为坏超实体单元、部分好超实体单元以及好超实体单元；对坏超实体单元、部分好超实体单元以及好超实体单元分别作标记；以及更新超实体单元伫列表。