[发明专利]主动元件基板及其制法

权利要求书

1.一种主动元件基板的制造方法，其特征在于，包括：

形成一第一栅极于一基板上；

形成一第一绝缘层于该第一栅极上；

形成一非结晶金属氧化物层于该第一栅极上；

形成一第二绝缘层于该非结晶金属氧化物层上；

形成一非结晶硅层于该第二绝缘层上，且该非结晶金属氧化物层位于该非结晶硅层与该第一栅极之间；

进行一快速热退火制作工艺，以将该非结晶金属氧化物层转变成一结晶金属氧化物层；以及

形成一第一源极与一第一漏极，直接堆叠于该结晶金属氧化物上，并与该结晶金属氧化物层电连接。

2.如权利要求1所述的主动元件基板的制造方法，其中该快速热退火制作工艺的最高温度为400度～700度，且持续时间为30秒～6分钟。

3.如权利要求1所述的主动元件基板的制造方法，还包括：

形成一第二栅极于该基板上；

形成一硅半导体层，该硅半导体层至少覆盖部分该第二栅极；以及

形成一第二源极与一第二漏极，与该硅半导体层电连接。

4.如权利要求3所述的主动元件基板的制造方法，其中形成该硅半导体层的方法包括：

移除部分该非结晶硅层，剩余的该非结晶硅层包括该硅半导体层。

5.如权利要求3所述的主动元件基板的制造方法，其中形成该硅半导体层的方法包括：

以激光将该非结晶硅层转变为多晶硅层；

移除部分该多晶硅层，剩余的该多晶硅层包括该硅半导体层。

6.如权利要求3所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一栅极与该第二栅极同时形成。

7.如权利要求3所述的主动元件基板的制造方法，其中该硅半导体层与该第二栅极之间夹有该第一绝缘层以及该第二绝缘层。

8.如权利要求1所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一绝缘层以及该第二绝缘层的材料包括氧化硅。

9.如权利要求1所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一绝缘层的厚度为50纳米至300纳米，且该第二绝缘层的厚度为50纳米至300纳米。

10.如权利要求1所述的主动元件基板的制造方法，其中该第一栅极的材料包括钛或钛与铝的组合。