[发明专利]主动元件基板及其制法

说明书

本发明公开一种主动元件基板及其制法，该主动元件基板包括基板、第一主动元件以及第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、结晶金属氧化物层、第一绝缘层、第一源极与第一漏极。结晶金属氧化物层位于第一栅极上。结晶金属氧化物层与第一栅极之间夹有第一绝缘层。以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从结晶金属氧化物的上表面至结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案。第二主动元件包括第二栅极、硅半导体层、第二源极与第二漏极。

技术领域

本发明涉及一种主动元件(有源元件)基板，且特别是涉及一种包括结晶金属氧化物层的主动元件基板及其制法。

背景技术

目前,背通道蚀刻型(Back-Channel Etch)的金属氧化物薄膜晶体管逐渐被许多公司所重视。背通道蚀刻型的金属氧化物薄膜晶体管具有光刻次数少、器件小型化、制造成本低等优点，有利于制造更高开口率的显示面板。

在背通道蚀刻型金属氧化物薄膜晶体管的制作工艺中，金属形成于金属氧化物半导体通道层上，接着图案化金属以形成互相分离的源极与漏极。然而，在图案化金属时，金属氧化物半导体通道层相当容易因为暴露于蚀刻剂下而受到损伤，使得产品良率下降。有鉴于此，目前亟需一种能够解决前述问题的方法。

发明内容

本发明提供一种主动元件基板，在源极与漏极的图案化制作工艺中，可以减少蚀刻液对金属氧化物造成的损害。

本发明提供一种主动元件基板的制造方法，在形成源极与漏极的制作工艺中，可以减少蚀刻液对金属氧化物造成的损害。

本发明的一种主动元件基板，包括基板、第一主动元件以及第二主动元件。第一主动元件包括第一栅极、结晶金属氧化物层、第一绝缘层、第一源极与第一漏极。结晶金属氧化物层位于第一栅极上，且与第一栅极之间夹有第一绝缘层。以穿透式电子显微镜的选区绕射模式观察从结晶金属氧化物的上表面至结晶金属氧化物层的下表面的范围，可以观察到结晶相的绕射图案。第一源极及第一漏极电连接结晶金属氧化物层。第二主动元件包括第二栅极、硅半导体层、第二源极与第二漏极。硅半导体层，与第二栅极重叠。第二源极及第二漏极，与该硅半导体层电连接。

本发明的一种主动元件基板的制造方法，包括：形成第一栅极于基板上；形成第一绝缘层于第一栅极上；形成非结晶金属氧化物层于第一栅极上；形成第二绝缘层于非结晶金属氧化物层上；形成非结晶硅层于第二绝缘层上，且非结晶金属氧化物层位于非结晶硅层与第一栅极之间；进行快速热退火制作工艺，以将非结晶金属氧化物层转变成结晶金属氧化物层；以及形成第一源极与第一漏极，与结晶金属氧化物层电连接。

基于上述，本发明的至少一实施例中，主动元件基板金属氧化物层包括结晶相，可以减少在形成源极与漏极的制作工艺中，蚀刻液对金属氧化物造成的损害。此外，本发明的非结晶金属氧化物层不需经过准分子激光退火(excimer laser annealing,ELA)就可以转变成结晶金属氧化物层，可以缩减制造主动元件基板所需要的成本及工时。

为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附的附图作详细说明如下。

附图说明

图1A～图1D是本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造流程的剖面示意图；

图2是本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造流程的剖面示意图；

图3A～图3D是本发明的一实施例的一种主动元件基板的制造流程的剖面示意图；

图4是本发明的一实施例的一种结晶金属氧化物层的绕射图案的示意图；

图5是本发明的一实施例的一种结晶金属氧化物层的绕射图案的示意图；

图6是本发明的一实施例的一种结晶金属氧化物层的绕射图案的示意图；