[发明专利]红外焦平面探测器的减薄方法及探测器在审
| 申请号： | 201810614526.7 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108899274A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 肖钰;韦书领;程雨;曹凌霞 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十一研究所 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/463;H01L31/18 |
| 代理公司： | 工业和信息化部电子专利中心 11010 | 代理人： | 于金平 |
| 地址： | 100015*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 红外焦平面探测器 减薄 减薄装置 探测器 背面减薄 有效解决 逐渐减小 硅电路 拉伸 裂片 取下 预设 加工 芯片 | ||
1.一种红外焦平面探测器的减薄方法，其特征在于，包括以下步骤：
采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；
其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减薄装置包括切削机。
3.如权利要求1所述的方法，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工的加工过程包括：
将所述红外焦平面探测器粘接在玻璃板上；
将所述玻璃板放置在所述减薄装置的加工台上，以由所述减薄装置按照设定的工艺条件将所述红外焦平面探测器切削掉预定厚度；
将切削后的所述红外焦平面探测器从所述玻璃板上取下，静置预设时间。
4.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将红外焦平面探测器粘接在玻璃板上采用无压力粘接。
5.如权利要求3或4所述的方法，其特征在于，采用蜡将所述红外焦平面探测器粘接在玻璃板上。
6.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述预定厚度为50-100微米。
7.如权利要求3所述的方法，其特征在于，所述工艺条件包括如下条件中的一个或多个：
转速为1800～2300转/分钟；
下刀速度为2～5微米/次；进刀速度为5～10毫米/分钟。
8.如权利要求1或3所述的方法，其特征在于，所述静置预设时间为6-24小时。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述红外焦平面探测器的尺寸在30mm乘以30mm以上。
10.一种红外焦平面探测器，其特征在于：所述红外焦平面探测器采用权利要求1至9中任意一项所述的红外焦平面探测器的减薄方法制备得到。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
