[发明专利]红外焦平面探测器的减薄方法及探测器

说明书

本发明公开了一种红外焦平面探测器的减薄方法及探测器，所述减薄方法，包括：采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。根据本发明提出的减薄方法，逐渐减小红外焦平面探测器的芯片和硅电路相互拉伸的作用力，有效解决了现有技术中对红外焦平面探测器进行背面减薄时经常裂片的问题，适用于超大尺寸红外焦平面探测器。

技术领域

本发明涉及探测器技术领域，尤其涉及一种红外焦平面探测器的减薄方法及红外焦平面探测器。

背景技术

红外焦平面探测器(简称：器件)采用背光照的方式收集光能量，只有把红外焦平面探测器的芯片从背面减薄，使其在表面附近吸收光子，产生的光生载流子才能扩散到PN结区，所以红外焦平面探测器的芯片减薄后的厚度必须小于少子扩散长度。

目前，红外焦平面探测器的减薄方法主要是通过磨抛工艺或者金刚石切削工艺实现。

抛光工艺以粘接在抛光盘上的抛光垫为基底，该基底与器件背面紧密接触，并通过固定夹具对器件施加一定的压力；抛光时，抛光盘与夹具相对转动，同时在抛光垫上添加专门的磨抛料，依靠器件、抛光垫、磨抛料之间产生的摩擦力实现对器件背面的抛光。

金刚石切削工艺将器件用蜡粘接在玻璃板上，再将玻璃板吸附在金刚石切削机的加工台上，用设定的工艺条件将器件减薄至要求的厚度。

但是由于红外焦平面探测器的芯片和硅电路热膨胀系数不匹配，器件的尺寸越大，器件翘曲越大，甚至会在红外焦平面探测器的芯片内部引起微裂纹。因此采用现有磨抛工艺或者金刚石切削工艺，对超大尺寸红外焦平面探测器进行减薄时，器件在短时间内经受大幅度的应力变化，容易在红外焦平面探测器的芯片内部的界面和微裂纹的附近出现应力集中现象，从而导致超大尺寸红外焦平面探测器的芯片裂片。

发明内容

本发明实施例提供一种红外焦平面探测器的减薄方法及红外焦平面探测器，用以解决红外焦平面探测器的芯片裂片。

第一方面，本发明实施例提供一种红外焦平面探测器的减薄方法，包括以下步骤：

采用减薄装置按预定厚度多次对红外焦平面探测器进行减薄加工；

其中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工后，将所述红外焦平面探测器从所述减薄装置上取下，静置预设时间。

可能地，本发明所述方法中，所述减薄装置包括切削机。

可能地，本发明所述方法中，每次对所述红外焦平面探测器进行减薄加工的加工过程包括：

将所述红外焦平面探测器粘接在玻璃板上；

将所述玻璃板放置在所述减薄装置的加工台上，以由所述减薄装置按照设定的工艺条件将所述红外焦平面探测器切削掉预定厚度；

将切削后的所述红外焦平面探测器从所述玻璃板上取下，静置预设时间。

可能地，本发明所述方法中，所述将红外焦平面探测器粘接在玻璃板上采用无压力粘接。

可能地，本发明所述方法中，采用蜡将所述红外焦平面探测器粘接在玻璃板上。

可能地，本发明所述方法中，所述预定厚度为50-100微米。

可能地，本发明所述方法中，所述工艺条件包括如下条件中的一个或多个：

转速为1800～2300转/分钟；下刀速度为2～5微米/次；进刀速度为5～10毫米/分钟。

可能地，本发明所述方法中，所述静置预设时间为6-24小时。

可能地，本发明所述方法中，所述红外焦平面探测器的尺寸在30mm乘以30mm以上。