[发明专利]光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法在审
| 申请号： | 201810615532.4 | 申请日： | 2018-06-14 |
| 公开（公告）号： | CN108682621A | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 潘冬 | 申请（专利权）人： | 武汉新芯集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅;李时云 |
| 地址： | 430205 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 光刻胶层 硬掩模层 返工 重做 衬底 半导体 图形化 粘附性 剥落 光刻 良率 线条 | ||
1.一种光刻胶层重做的方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在所述初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；
清除所述初始光刻胶层以及所述初始硬掩模层；以及
在所述半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在所述返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层。
2.如权利要求1所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有一层所述初始硬掩模层。
3.如权利要求2所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，所述初始硬掩模层的材料为氮化物。
4.如权利要求3所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，采用干法刻蚀清除所述初始硬掩模层。
5.如权利要求1所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，图形化的所述返工光刻胶层中具有多条光刻胶线条，且部分所述光刻胶线条的宽度小于100nm。
6.如权利要求1所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，所述返工光刻胶层的厚度大于
7.如权利要求1所述的光刻胶层重做的方法，其特征在于，采用氧气灰化的方式清除所述初始光刻胶层。
8.一种栅极的形成方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供一半导体衬底，所述半导体衬底由下至上依次形成有栅极膜层以及至少一层初始硬掩模层，在所述初始硬掩模层上形成有需要重做的初始光刻胶层；
清除所述初始光刻胶层以及所述初始硬掩模层；
在所述栅极膜层上形成至少一层返工硬掩模层，并在所述返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层；以及
以图形化的所述返工光刻胶层为掩模刻蚀所述返工硬掩模层，并以所述返工硬掩模层为掩模刻蚀所述栅极膜层，以形成栅极。
9.如权利要求8所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有3层所述初始硬掩模层，其由下至上依次包括初始无定型碳层、初始介电抗反射层以及初始氧化层。
10.如权利要求9所述的栅极的形成方法，其特征在于，通过氧气灰化的方式清除所述初始光刻胶层，采用干法刻蚀清除所述初始氧化层，采用干法刻蚀清除所述初始介电抗反射层，采用氧气灰化的方式清除所述初始无定型碳层。
11.如权利要求8所述的栅极的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底上形成有3层所述返工硬掩模层，其由下至上依次包括返工无定型碳层、返工介电抗反射层以及返工氧化层。
12.如权利要求8所述的栅极的形成方法，其特征在于，图形化的所述返工光刻胶层中具有多条光刻胶线条，且部分所述光刻胶线条的宽度小于100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于武汉新芯集成电路制造有限公司，未经武汉新芯集成电路制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201810615532.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
