[发明专利]光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法

说明书

本发明提供一种光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法。该光刻胶层重做的方法包括：提供一半导体衬底，半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；清除初始光刻胶层以及初始硬掩模层；以及在半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层。本发明通过在清除初始光刻胶层的同时清除初始硬掩模层，再形成返工光刻胶层和至少一层返工硬掩模层，以提高重做后光刻胶层与硬掩模层之间的粘附性，避免了图形化的光刻胶层在重做后出现的光刻线条倾斜或剥落的问题，从而提高产品的良率。

技术领域

本发明涉及半导体集成电路领域，特别是涉及一种光刻胶层重做的方法以及栅极的形成方法。

背景技术

随着集成电路工艺的持续发展，器件特征线宽的越来越小，使得光刻胶层在图形化处理之后，两两相邻图形之间孤立的光刻胶的宽度也越来越窄。在现有的印刷(Litho)工艺中，由于各种客观条件(例如，环境条件的变化等)或者主观条件(例如，操作失误等)的影响，在光刻胶层图形化处理的过程中有可能会出现一些异常情况，导致光刻胶层上形成有一些不需要的或非正常的光刻胶图形；或者，在对光刻胶层的图形处理后，来自环境的颗粒物跌落在光刻胶层的图形上或图形之间的光刻胶线条上，使得部分光刻胶图形被颗粒物遮挡，从而对后续的操作容易造成不良的影响。

因此，如果光刻胶层上述出现异常，则需要将光刻胶清除掉，并形成一新的图形化的光刻胶层。但是，由于在形成的图形化的光刻胶层的过程中，光刻胶材料与晶圆之间的粘附性变差，特别是在光刻胶的厚度较厚时，那些宽度较窄、孤立的光刻胶线条在重力以及外力的作用下很容易出现倾斜甚至剥落的问题。

由此可知，如何避免图形化的光刻胶层在重做后出现的光刻线条倾斜或剥落的问题，从而提高产品的良率，是本领域中一个亟待解决的问题。

发明内容

本发明的目的在于提供一种光刻胶层重做的方法，以避免图形化的光刻胶层在重做后出现的光刻胶线条倾斜或剥落的问题，从而提高产品的良率。

为了实现上述目的，本发明提供了一种光刻胶层重做的方法，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底上形成有至少一层初始硬掩模层，在所述初始硬掩模层上形成有初始光刻胶层；清除所述初始光刻胶层以及所述初始硬掩模层；以及在所述半导体衬底上形成至少一层返工硬掩模层，并在所述返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层。

可选的，所述半导体衬底上形成有一层所述初始硬掩模层。

可选的，所述初始硬掩模层的材料为氮化物。

可选的，采用干法刻蚀清除所述初始硬掩模层。

可选的，图形化的所述返工光刻胶层中具有多条光刻胶线条，且部分所述光刻胶线条的宽度小于100nm，所述返工光刻胶层的厚度大于

可选的，采用氧气灰化的方式清除所述初始光刻胶层。

本发明还提供了一种栅极的形成方法，包括以下步骤：

提供一半导体衬底，所述半导体衬底由下至上依次形成有栅极膜层以及至少一层初始硬掩模层，在所述初始硬掩模层上形成有需要重做的初始光刻胶层；清除所述初始光刻胶层以及所述初始硬掩模层；在所述栅极膜层上形成至少一层返工硬掩模层，并在所述返工硬掩模层上形成图形化的返工光刻胶层；以及以图形化的所述返工光刻胶层为掩模刻蚀所述返工硬掩模层，并以所述返工硬掩模层为掩模刻蚀所述栅极膜层，以形成栅极。

可选的，所述半导体衬底上形成有3层所述初始硬掩模层，其由下至上依次包括初始无定型碳层、初始介电抗反射层以及初始氧化层。

可选的，通过氧气灰化的方式清除所述初始光刻胶层，采用干法刻蚀清除所述初始氧化层，采用干法刻蚀清除所述初始介电抗反射层，采用氧气灰化的方式清除所述初始无定型碳层。