[发明专利]静电吸附方法

权利要求书

1.一种静电吸附方法，其特征在于，包括：

第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向所述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高所述腔室内的压力的处理；

第二步骤，在所述第一步骤之后，对设置在所述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；

第三步骤，在所述第二步骤之后，进行在所述第一步骤中施加了高频功率的情况下停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理，或者进行在所述第一步骤中施加了高频功率的情况下停止施加所述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低所述腔室内的压力的处理，或者进行在所述第一步骤中提高了所述腔室内的压力的情况下降低所述腔室内的压力的处理；

第四步骤，在所述第三步骤之后，停止施加所述直流电压；和

第五步骤，在所述第四步骤之后，将被处理体输送到所述腔室内，对所述静电吸盘施加极性与所述第二步骤中施加的直流电压正负相反的直流电压，将被处理体吸附于所述静电吸盘。

2.如权利要求1所述的静电吸附方法，其特征在于：

所述第二步骤中施加的直流电压为负极性的直流电压。

3.如权利要求2所述的静电吸附方法，其特征在于：

所述第五步骤中施加的直流电压为正极性的直流电压。

4.如权利要求1～3中任一项所述的静电吸附方法，其特征在于：

当在所述第一步骤中施加所述高频功率而生成了等离子体的情况下，与在所述第三步骤停止施加所述高频功率同时，或者在停止施加所述高频功率之后且所述第四步骤之前，降低所述腔室内的压力。

5.如权利要求1～3中任一项所述的静电吸附方法，其特征在于：

所述第一步骤在无晶片的干法清洗之后进行。