[发明专利]静电吸附方法

说明书

本发明的目的在于提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。由此，无需提高直流电压的功率，就能够提高静电吸盘的吸附力。

技术领域

本发明涉及一种静电吸附方法。

背景技术

在腔室内的载置台设置有静电吸盘。静电吸盘利用由直流电源输出的直流电压产生的库仑力，将被处理体静电吸附并保持在静电吸盘上(例如参照专利文献1、2)。

例如在专利文献1中提案有静电吸盘的带电的除去方法。在专利文献2中提案有在将下一晶片吸附到静电吸盘之前，在向处理室导入了氮气的状态下对静电吸盘施加负的直流电压，进行电流放电，防止晶片向静电吸盘的不良吸附的技术。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开昭63-36138号公报

专利文献2：日本特开平9-120988号公报

发明内容

发明要解决的技术问题

但是，即使对在前一晶片处理时产生于静电吸盘的表面的残留电荷进行除电之后将下一晶片送入并将其吸附在静电吸盘上，也存在向晶片与静电吸盘之间供给的导热气体泄露的问题。在该情况下，需要进一步提高静电吸盘的吸附力，防止导热气体的泄露。

对此，考虑通过提高对静电吸盘施加的直流电压的功率来提高吸附力。但是，要求通过不提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力来防止导热气体的泄露，避免资源的过度使用，尽可能抑制运行成本。

针对上述技术问题，本发明的目的之一在于无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。

用于解决技术问题的技术方案

为了解决上述技术问题，根据一个方式，提供一种静电吸附方法，其包括：第一步骤，在将被处理体载置在用于处理被处理体的腔室内的载置台上之前，向上述腔室内导入气体，进行施加高频功率来生成等离子体的处理或者提高上述腔室内的压力的处理；第二步骤，在上述第一步骤之后，对设置在上述载置台上的静电吸盘施加极性与在吸附被处理体时施加的直流电压正负相反的直流电压；第三步骤，在上述第二步骤之后，进行停止施加上述高频功率而将等离子体熄灭的处理和降低上述腔室内的压力的处理中的至少任一处理；和第四步骤，在上述第三步骤之后，停止施加上述直流电压。

发明的效果

根据本发明的一个方面，无需提高直流电压的功率就能够提高静电吸盘的吸附力。

附图说明

图1是表示一实施方式的等离子体处理装置的一个例子的图。

图2是用于说明一实施方式的预充电的有无和吸附力的不同的图。

图3是表示第一实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。

图4是表示一实施方式的预充电时的时序图的一个例子的图。

图5是用于说明一实施方式的预充电时的吸附力的状态的图。

图6是表示第一实施方式的变形例的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。

图7是表示第二实施方式的晶片的静电吸附处理的一个例子的流程图。