[发明专利]柔性晶体管制作方法及柔性晶体管在审
| 申请号： | 201810619732.7 | 申请日： | 2018-06-15 |
| 公开（公告）号： | CN108807186A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 李倩;刘静 | 申请（专利权）人： | 中国科学院理化技术研究所 |
| 主分类号： | H01L21/34 | 分类号： | H01L21/34;H01L29/43;H01L29/786;H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 液态金属 晶体管 制作 柔性基底 漏极 源极 半导体层 介电层 大规模集成电路 可弯曲性 电连接 电子产品 | ||
1.一种柔性晶体管制作方法，其特征在于，包括：
在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接所述液态金属源极和所述液态金属漏极的半导体层；
在所述半导体层上制作介电层，并在所述介电层上制作液态金属栅极。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接所述液态金属源极和所述液态金属漏极的半导体层具体为：
在柔性基底上制作间隔的所述液态金属源极和所述液态金属漏极，形成源极漏极阵列，并在所述源极漏极阵列之间的沟道中制作所述半导体层，或
在柔性基底上制作所述半导体层，在所述半导体层上制作间隔的所述液态金属源极和所述液态金属漏极，形成源极漏极阵列。
3.根据权利要求1或2任一所述的方法，其特征在于，所述液态金属源极和所述液态金属漏极通过打印技术制作。
4.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，制作所述半导体层具体包括：
通过滴涂、喷涂或喷墨打印技术制作薄膜状的半导体层后，对所述半导体层进行退火处理或紫外光照处理。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述半导体层上制作介电层具体包括：
通过旋涂、喷涂、滴涂或浸渍提拉技术制作薄膜状的介电层后，对所述介电层进行退火处理或紫外光照处理。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述介电层上制作液态金属栅极后，还包括：
通过弹性高分子材料对制备好的晶体管进行封装。
7.一种柔性晶体管，其特征在于，包括：
柔性基底、液态金属源极、液态金属漏极、液态金属栅极、半导体层以及介电层，其中：
所述液态金属源极、液态金属漏极间隔设置在所述柔性基底上，并通过所述半导体层电连接；
所述介电层设于所述半导体层上，所述液态金属栅极设于所述介电层上。
8.根据权利要求7所述的柔性晶体管，其特征在于，所述半导体层设于所述柔性基底表面；所述液态金属源极、液态金属漏极间隔设于所述半导体层上，形成源极漏极阵列，所述介电层沉积于所述源极漏极阵列间的沟道中。
9.根据权利要求7所述的柔性晶体管，其特征在于，所述液态金属源极、液态金属漏极间隔设于所述柔性基底表面，形成源极漏极阵列；所述半导体层沉积于所述源极漏极阵列间的沟道中，所述介电层设于所述半导体层表面。
10.根据权利要求7所述的柔性晶体管，其特征在于，还包括弹性高分子封装管，所述弹性高分子封装管用于对晶体管进行封装。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
