[发明专利]柔性晶体管制作方法及柔性晶体管

说明书

本发明实施例提供一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，该方法包括在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接液态金属源极和液态金属漏极的半导体层；在半导体层上制作介电层，并在介电层上制作液态金属栅极。本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。

技术领域

本发明涉及半导体器件领域，尤其涉及一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管。

背景技术

场效应晶体管是半导体和微电子行业中的常规电子器件，通常是在硅基底上结合微纳米加工工艺进行制备，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点。场效应晶体管在电子产品上的应用，极大促进了电子产品的发展。

但随着人们生活水平的提高，人们对使用的电子产品的性能提出了高的要求，尤其是电子产品的可弯曲性收到人们更大的关注，而这就对电子器件的柔性提出了要求。目前在大规模和超大规模集成电路中应用的场效应晶体管，大部分是采用如单晶硅等硬质材料作为原料，并经过刻蚀、光刻等半导体工艺制作而成。

但利用传统的方法制作而成的场效应晶体管过于硬化，柔性低，难以在具有可弯曲性的要求的电子产品的集成电路中进行大规模应用。因此需要找寻新一代的电子器件和相关制备技术。

发明内容

针对背景技术中现有技术存在的缺陷，本发明提供了一种柔性晶体管制作方法及柔性晶体管，解决了现有技术中场效应晶体管过于硬化，柔性低，难以在具有可弯曲性的要求的电子产品的集成电路中进行大规模应用的问题。

第一方面，本发明提供的一种柔性晶体管制作方法，该方法包括：

在柔性基底上制作间隔的液态金属源极、液态金属漏极，以及用于电连接所述液态金属源极和所述液态金属漏极的半导体层；

在所述半导体层上制作介电层，并在所述介电层上制作液态金属栅极。

第二方面，本发明提供的一种柔性晶体管，该晶体管包括：

柔性基底、液态金属源极、液态金属漏极、液态金属栅极、半导体层以及介电层，其中：

所述液态金属源极、液态金属漏极间隔设置在所述柔性基底上，并通过所述半导体层电连接；

所述介电层设于所述半导体层上，所述液态金属栅极设于所述介电层上。

本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法及柔性晶体管采用柔性基底以及在柔性基底的基础上利用液态金属制作液态金属源极、液态金属漏极和液态金属栅极，从而得到具有柔性的晶体管，用于具有可弯曲性的电子产品的大规模集成电路。

附图说明

图1为本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法流程示意图；

图2为本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法中源极、漏极分布方式一时半导体层全部覆盖的示意图；

图3为本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法中源极、漏极分布方式一时半导体层部分覆盖的示意图；

图4为本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法中源极、漏极分布方式二时介电层全部覆盖的示意图；

图5为本发明实施例提供的柔性晶体管制作方法中源极、漏极分布方式二时介电层部分覆盖示意图；

图6为本发明实施例提供的柔性晶体管结构示意图；

图7为本发明实施例提供的柔性晶体管源极漏极阵列示意图。

具体实施方式