[发明专利]静电吸盘、衬底处理装置以及制造半导体器件的方法

说明书

一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种制造半导体器件的方法。所述静电吸盘包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及被配置成控制所述单元加热器的加热器控制器。所述加热器控制器获得所述单元加热器的电阻且将所述电阻与所述阈值进行比较以控制向所述单元加热器提供的加热电力。

技术领域

根据示例性实施例的装置及方法涉及衬底处理，且更具体来说，涉及一种静电吸盘、一种衬底处理装置以及一种使用静电吸盘及衬底处理装置制造半导体器件的方法。

背景技术

大体来说，半导体器件是通过应用多个单位工艺制成的。所述单位工艺可包括薄膜沉积工艺、光刻工艺及蚀刻工艺。可主要使用等离子体来执行沉积工艺及蚀刻工艺。等离子体可在高温条件下对衬底进行处理。静电吸盘可使用静电电压来固持衬底。

发明内容

一个或多个示例性实施例提供一种能够对自身温度进行电检测的静电吸盘以及一种包括所述静电吸盘的衬底处理装置。

一个或多个示例性实施例提供一种能够提高衬底的温度均匀性的衬底处理装置以及一种使用所述衬底处理装置制造半导体器件的方法。

根据示例性实施例的各个方面，一种静电吸盘可包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及加热器控制器，其中所述加热器控制器被配置成通过基于所述单元加热器的电阻与阈值之间的比较提供加热电力来控制所述单元加热器。

根据示例性实施例的各个方面，一种衬底处理装置可包括：腔室以及位于所述腔室中且在所述静电吸盘上放置衬底的静电吸盘。所述静电吸盘可包括：吸盘基座、位于所述吸盘基座上的绝缘板、包括位于所述绝缘板中的单元加热器的第一加热器以及加热器控制器，其中所述加热器控制器被配置成通过基于所述单元加热器的电阻与阈值之间的比较提供加热电力来控制所述单元加热器。

根据示例性实施例的各个方面，一种制造半导体器件的方法可包括：获得单元加热器的阈值、对衬底进行加热以及对所述衬底进行蚀刻。对所述衬底进行加热的步骤可包括：为所述单元加热器提供加热电力、测量所述单元加热器的电阻以及将所述电阻与所述阈值进行比较以控制所述加热电力。

附图说明

通过结合附图阅读以下详细说明将更清楚地理解以上及其他方面、特征及其他优点。

图1示出根据示例性实施例的衬底处理装置的示意图。

图2示出图1所示静电吸盘的实例的剖视图。

图3示出图1所示静电吸盘的实例的分解透视图。

图4示出图3所示上加热器的实例的平面图。

图5示出图4所示上加热器的连接关系的方块图。

图6示出图1所示加热器电力供应器及加热器控制器的实例的电路图。

图7示出根据示例性实施例的制造半导体器件的方法的流程图。

图8示出图7所示获得阈值的操作的实例的流程图。

图9示出图8所示测试衬底的平面图。

图10示出第一蚀刻速率及第二蚀刻速率如何随图9所示测试衬底的温度变化的曲线图。

图11示出图7所示对衬底进行加热的操作的实例的流程图。

图12示出图11所示对电阻进行测量的操作的实例的流程图。

图13示出图4所示单元加热器的电阻变化的曲线图。

[符号的说明]

10：腔室

12：下壳体