[发明专利]CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法在审
申请号: | 201810623644.4 | 申请日: | 2018-06-15 |
公开(公告)号: | CN108908762A | 公开(公告)日: | 2018-11-30 |
发明(设计)人: | 刘宏明;左浩;李升 | 申请(专利权)人: | 西安碳星半导体科技有限公司 |
主分类号: | B28D5/00 | 分类号: | B28D5/00;B28D5/04 |
代理公司: | 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 | 代理人: | 刘晓晖 |
地址: | 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** | 国省代码: | 陕西;61 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 切割 金刚石 单晶金刚石 宝石 夹具 斜切 二次切割 滚珠丝杠 切割效率 倾斜切割 形状类似 导向轮 进给量 多片 换算 进给 钻石 分析 | ||
1.CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,其特征在于,包括以下步骤:
S1:通过对金刚石本体的尺寸进行分析,确定切割面的位置,然后通过夹具把金刚石本体进行固定;
S2:通过对导向轮和调节轮参数的控制,确定金刚石本体的切割厚度,可以分多次进行切割,每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4,确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性,提高金刚石本体的切割质量;
S3:对切割厚度进行换算,确定滚珠丝杠的进给量,实现对金刚石本体的倾斜切割,对切割环境进行调节,如冷却液和润滑剂的加入,启动驱动电机,对金刚石本体进行切割;
S4:在对金刚石切割的时候,通过检测装置对切割参数进行检测,通过对检测数据的观察,对切割装置的进行调节,尽量的检出误差的存在;
S5:待切割完成,对金刚石本体的切割端面进行检查确认,通过检查确认,即完成切割。
2.根据权利要求1所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,包括固定底座(1),其特征在于,所述固定底座(1)底部两侧的外壁上均焊接有支撑腿(2),所述支撑腿(2)底部的外壁上设置有万向轮,且支撑腿(2)与万向轮之间设置有锁止器(3),所述固定底座(1)顶部两侧的外壁上分别焊接有第一支撑座(4)和第二支撑座(5),所述第一支撑座(4)和第二支撑座(5)顶部的外壁上分别设置有驱动电机(6)和转动盘(9),所述驱动电机(6)的输出轴上传动连接有传动皮带(7),所述传动皮带(7)远离驱动电机(6)的一端内壁上传动连接有传动轮(8),所述传动轮(8)与转动盘(9)之间形成固定连接。
3.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,其特征在于,所述转动盘(9)的一端外壁上开有转动槽(10),且转动槽(10)的内壁上转动连接有连接块(11),所述连接块(11)的一端外壁上焊接有连接杆(12),所述连接杆(12)远离连接块(11)的一端外壁上焊接有轴套,且轴套的内壁上插接有连接销钉(13)。
4.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,其特征在于,所述固定底座(1)顶部外壁的中间位置焊接有支撑柱(14),所述支撑柱(14)顶部的外壁上安装有转动轴(15),所述转动轴(15)的顶部外壁上焊接有工作台(16),且工作台(16)的一侧外壁与连接销钉(13)之间形成固定连接,工作台(16)顶部的外壁上设置有夹具,且夹具的内部夹持有金刚石本体(17),所述金刚石本体(17)由CVD单晶(18)和多晶金刚石(19)构成。
5.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,其特征在于,所述固定底座(1)顶部两侧的外壁上均焊接有滑动导轨(28),所述滑动导轨(28)顶部的外壁上滑动连接有滑动块,且滑动块的顶部外壁上焊接有移动台(27),所述固定底座(1)内部的中间位置开有安装孔,且安装孔的内壁上插接有滚珠丝杠(25),所述滚珠丝杠(25)的外壁上螺纹连接有固定螺母(26),所述固定螺母(26)顶部的外壁上焊接有固定杆,且固定杆顶部的外壁与移动台(27)底部的外壁之间形成固定连接。
6.根据权利要求2所述的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,其特征在于,所述金刚石本体(17)的顶部两侧分别设置有牵引轮(20)、调节轮(21)、第一导向轮(22)和第二导向轮(23),且牵引轮(20)、调节轮(21)、第一导向轮(22)和第二导向轮(23)的外壁上均绕接有切割绳(24)。
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