[发明专利]CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法在审

专利信息
申请号: 201810623644.4 申请日: 2018-06-15
公开(公告)号: CN108908762A 公开(公告)日: 2018-11-30
发明(设计)人: 刘宏明;左浩;李升 申请(专利权)人: 西安碳星半导体科技有限公司
主分类号: B28D5/00 分类号: B28D5/00;B28D5/04
代理公司: 北京盛凡智荣知识产权代理有限公司 11616 代理人: 刘晓晖
地址: 710000 陕西省西安市国家民用航天产*** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 切割 金刚石 单晶金刚石 宝石 夹具 斜切 二次切割 滚珠丝杠 切割效率 倾斜切割 形状类似 导向轮 进给量 多片 换算 进给 钻石 分析
【说明书】:

发明公开了CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,包括以下步骤:通过对金刚石本体的尺寸进行分析,确定切割面的位置,然后通过夹具把金刚石本体进行固定;通过对导向轮和调节轮参数的控制,确定金刚石本体的切割厚度,可以分多次进行切割,每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4,确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性,提高金刚石本体的切割质量;对切割厚度进行换算,确定滚珠丝杠的进给量,实现对金刚石本体的倾斜切割,对切割环境进行调节。本发明能够实现一次多片切割,大大地提高了设备的切割效率,可以实现水平方向上的进给,采用斜切的方式,降低切割对样品的损耗,同时切割后的形状类似于钻石的形状,方便二次切割。

技术领域

本发明涉及金刚石切割技术领域,尤其涉及CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法。

背景技术

CVD生长单晶金刚石是含碳气体和氧气的混合物在高温和低于标准大气压的压力下被激发分解,形成活性金刚石碳原子,并在基体上沉积交互生长成聚晶金刚石,CVD生长单晶金刚石的过程中会在金刚石的四周出现多晶金刚石,随着生长的进行,多晶金刚石会侵入金刚石表面,使得金刚石表面的面积缩小。目前金刚石的切割都是沿着多晶垂直向下切割,造成单晶金刚石的损失,因此,亟待设计一种CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法来解决现有的问题。

发明内容

基于背景技术存在的技术问题,本发明提出了CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法。

本发明提出的CVD生长宝石级厚单晶金刚石切割方法,包括以下步骤:

S1:通过对金刚石本体的尺寸进行分析,确定切割面的位置,然后通过夹具把金刚石本体进行固定;

S2:通过对导向轮和调节轮参数的控制,确定金刚石本体的切割厚度,可以分多次进行切割,每次切割的厚度记为T1、T2、T3、T4,确保对金刚石本体切割的稳定性和精确性,提高金刚石本体的切割质量;

S3:对切割厚度进行换算,确定滚珠丝杠的进给量,实现对金刚石本体的倾斜切割,对切割环境进行调节,如冷却液和润滑剂的加入,启动驱动电机,对金刚石本体进行切割;

S4:在对金刚石切割的时候,通过检测装置对切割参数进行检测,通过对检测数据的观察,对切割装置的进行调节,尽量的检出误差的存在;

S5:待切割完成,对金刚石本体的切割端面进行检查确认,通过检查确认,即完成切割。

优选地,包括固定底座,所述固定底座底部两侧的外壁上均焊接有支撑腿,所述支撑腿底部的外壁上设置有万向轮,且支撑腿与万向轮之间设置有锁止器,所述固定底座顶部两侧的外壁上分别焊接有第一支撑座和第二支撑座,所述第一支撑座和第二支撑座顶部的外壁上分别设置有驱动电机和转动盘,所述驱动电机的输出轴上传动连接有传动皮带,所述传动皮带远离驱动电机的一端内壁上传动连接有传动轮,所述传动轮与转动盘之间形成固定连接。

优选地,所述转动盘的一端外壁上开有转动槽,且转动槽的内壁上转动连接有连接块,所述连接块的一端外壁上焊接有连接杆,所述连接杆远离连接块的一端外壁上焊接有轴套,且轴套的内壁上插接有连接销钉。

优选地,所述固定底座顶部外壁的中间位置焊接有支撑柱,所述支撑柱顶部的外壁上安装有转动轴,所述转动轴的顶部外壁上焊接有工作台,且工作台的一侧外壁与连接销钉之间形成固定连接,工作台顶部的外壁上设置有夹具,且夹具的内部夹持有金刚石本体,所述金刚石本体由CVD单晶和多晶金刚石构成。

优选地,所述固定底座顶部两侧的外壁上均焊接有滑动导轨,所述滑动导轨顶部的外壁上滑动连接有滑动块,且滑动块的顶部外壁上焊接有移动台,所述固定底座内部的中间位置开有安装孔,且安装孔的内壁上插接有滚珠丝杠,所述滚珠丝杠的外壁上螺纹连接有固定螺母,所述固定螺母顶部的外壁上焊接有固定杆,且固定杆顶部的外壁与移动台底部的外壁之间形成固定连接。

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