[发明专利]一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法

说明书

本发明提供了一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法，所述玻璃粉，按质量百分含量，由以下组分组成：SiO₂：30～60％，Al₂O₃：3～10％，B₂O₃：5～15％，PbO：28～55％，Bi₂O₃：0～10％，ZnO：0～20％，CeO₂：0～2％，Sb₂O₃：0～2％，PbF₂：0～3％，V₂O₅：0～5％，ZrO₂：0～0.5％，TiO₂：0～5％。本发明所述的一种半导体钝化封装用玻璃粉的制备方法操作简单，能有效节约成本，制备的玻璃粉能够满足半导体钝化封装的要求，同时，玻璃粉具有足够的强度，断裂韧性，能有效的抵抗光照、冷热、风雨、细菌等对半导体器件的表面造成的综合破坏。

技术领域

本发明属于玻璃材料技术领域，尤其是涉及一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法。

背景技术

半导体器件的表面比较敏感，容易受周围环境影响，改变其电性能和稳定性，从而影响其使用性能。随着半导体技术的发展，电子、半导体器件的表面处理也越来越受到重视。半导体器件的表面需要进行保护处理，传统的工艺是在半导体器件的表面汽相沉积一层钝化薄膜进行保护，而对于台面结构、高电压、大功率的半导体产品，用汽相沉积的薄膜保护易于被高电压击穿，稳定性差，保护效果差。目前，玻璃粉被用于半导体器件的表面钝化封装，玻璃粉具备较高的反向击穿电压和机械强度及抗热冲击能力，但是现有的半导体钝化封装用玻璃粉并不能有效的提高钝化封装材料的耐候性，不能有效的抵抗光照、冷热、风雨、细菌等对半导体器件的表面造成的综合破坏。

发明内容

有鉴于此，本发明旨在提出一种半导体钝化封装用玻璃粉及其制备方法，。

为达到上述目的，本发明的技术方案是这样实现的：

一种半导体钝化封装用玻璃粉，按质量百分含量，由以下组分组成：

SiO₂：30～60％，Al₂O₃：3～10％，B₂O₃：5～15％，PbO：28～55％，Bi₂O₃：0～10％，ZnO：0～20％，CeO₂：0～2％，Sb₂O₃：0～2％，PbF₂：0～3％，V₂O₅：0～5％，ZrO₂：0～0.5％，TiO₂：0～5％。

进一步的，所述玻璃粉的热膨胀系数为41～45*10^-7℃^-1，表面电荷密度为+6～+7*10¹¹/cm²。

进一步的，所述玻璃粉的膨胀软化点温度为625～645℃，软化点温度为715～735℃，流动温度点温度为770～790℃。

进一步的，所述玻璃粉的玻璃化转变温度为585～605℃，烧结温度为640～660℃。

一种半导体钝化封装用玻璃粉的制备方法，包括以下步骤：

1)按质量百分含量计算玻璃粉配方中各组分的质量，称量后充分混合均匀，得到玻璃粉配方组分的混合料；

2)将步骤1)得到的混合料加入到铂金坩埚或氧化铝内，通过高温电阻炉加热，在1250～1280℃下熔炼成均匀的玻璃液；

3)通过耐热不锈钢水冷连续式辊轧机将步骤2)得到的玻璃液轧成0.5mm厚的碎薄玻璃片；