[发明专利]存储装置及其测试读写方法有效
申请号: | 201810630967.6 | 申请日: | 2018-06-19 |
公开(公告)号: | CN110619903B | 公开(公告)日: | 2021-09-07 |
发明(设计)人: | 中冈裕司 | 申请(专利权)人: | 华邦电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C11/4091 | 分类号: | G11C11/4091;G11C29/56 |
代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人: | 张晓霞;臧建明 |
地址: | 中国台湾台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 存储 装置 及其 测试 读写 方法 | ||
1.一种存储装置,其特征在于,包括:
预充电压控制电路,根据预充参考电压产生第一预充电压以及第二预充电压;
感测放大电路,耦接于位线与互补位线之间,用以感测耦接于所述位线的存储单元的数据,以及所述感测放大电路耦接所述预充电压控制电路,以使所述位线与所述互补位线分别接收所述第一预充电压与所述第二预充电压,
其中,在预充操作中,所述第一预充电压与所述第二预充电压的电压电平相同,在所述预充操作之后的测试写入感测期间与测试读取感测期间,所述预充电压控制电路提供给所述位线与所述互补位线的所述第一预充电压以及所述第二预充电压的电压电平不同;以及
测试比较电路,耦接所述预充电压控制电路,用以比较所述第一预充电压与所述第二预充电压的其中之一以及测试参考电压以产生测试结果,
其中当所述第一预充电压与所述第二预充电压的其中之一大于所述测试参考电压时,所述测试结果表示对所述存储单元的数据感测成功,且当所述第一预充电压与所述第二预充电压皆小于所述测试参考电压时,所述测试结果表示对所述存储单元的数据感测失败。
2.根据权利要求1所述的存储装置,其中所述感测放大电路包括:
第一开关,其第一端接收所述第一预充电压,其第二端耦接所述位线,并受控于第一预充使能信号;
第二开关,其第一端接收所述第二预充电压,其第二端耦接所述互补位线,并受控于所述第一预充使能信号;
第三开关,耦接于所述位线与所述互补位线之间,其受控于第二预充使能信号;以及
感测电路,耦接于所述位线与所述互补位线之间,并且用以放大所述位线与所述互补位线的电压差。
3.根据权利要求2所述的存储装置,还包括:
预充使能控制电路,耦接所述感测放大电路,用以根据预充使能信号产生所述第一预充使能信号与所述第二预充使能信号,
其中,当对所述存储单元进行测试写入操作与测试读取操作时,所述第一预充使能信号切换电压电平并且所述第二预充使能信号的逻辑电平与所述第一预充使能信号不同,以及当所述测试写入操作与所述测试读取操作完成后,所述第二预充使能信号切换电压电平,以恢复与所述第一预充使能信号的逻辑电平相同。
4.根据权利要求1所述的存储装置,其中所述测试参考电压的电压电平高于所述预充参考电压且小于电源电压。
5.根据权利要求4所述的存储装置,其中当所述第一预充电压与所述第二预充电压的其中之一大于所述测试参考电压时,所述测试结果的电压值实质上等于所述电源电压与接地电压的其中之一,且当所述第一预充电压与所述第二预充电压皆小于所述测试参考电压时,所述测试结果的电压值实质上为所述电源电压与所述接地电压的其中另一。
6.根据权利要求1所述的存储装置,其中在所述测试写入感测期间中,所述第一预充电压与所述第二预充电压的其中之一的电压值低于电源电压但高于所述预充参考电压,且其中另一的电压值低于所述预充参考电压。
7.根据权利要求1所述的存储装置,其中当对所述存储单元进行测试读取操作时,在所述测试读取感测期间之前,所述第一预充电压与所述第二预充电压先被拉到实质上等于电源电压。
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