[发明专利]沉积钙钛矿电池的方法

权利要求书

1.沉积钙钛矿电池的方法，其特征在于，包括以下步骤：

（1）准备实验用药品和仪器；

（2）准备电极部分；

（3）制备致密二氧化钛底层；

（4）制备二氧化钛支架层；

（5）处理四氯化钛溶液；

（6）处理Li-TFSI；

（7）制备钙钛矿—PbT₂薄膜；

（8）原味离子交换法制备钙钛矿-MAI&FAI沉积：采用多次沉积两步法制备FAPbI3和FAMAPbI3，第二步为沉积FAI或MAI，制备完整钙钛矿层；

（9）沉积Spiro-OMeTAD：先制备Spiro-OMeTAD，制备好Spiro-OMeTAD后，旋涂法完成Spiro-OMeTAD的沉积，旋涂完成后，将膜放在60℃的热盘上烘5min；

（10）沉积金对电极：采用真空热蒸法沉积Au对电极，将真空腔室放入电池样品和金，抽真空到10^-7torr的真空度，进行蒸镀金厚度为80nm。

2.根据权利要求1所述的沉积钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述步骤（2）中，具体包括以下步骤：将准备好的FTO玻璃用激光进行FTO刻蚀，并切成1.5cm*1.5cm大小，对玻璃基底进行清洗，具体的为，将FTO基底用洗洁精和水的混合液进行浸泡和搓洗，搓洗完的基底用洗洁精溶液进行30min的超声处理，用清水将基底表面含有清洗机的溶液清洗感觉,用氢氧化钾和乙醇的混合溶液进行超声处理,倒掉碱液，用去离子水进行冲洗基底至少三次，使得碱液去除干净，去离子水超声至少三次，用氮气将基底吹干待用。

3.根据权利要求1所述的沉积钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述步骤（3）中，具体包括以下步骤，

（301）配制TiO2底层溶液：将钛酸四异丙酯溶液加入正丁醇溶液中，浓度为1M，搅拌三天，配置好母液待用；

（302）将母液与正丁醇溶液以1:7体积比加入到容器中，搅拌30min；

（303）吹干的基底FTO覆盖住电极部分，进行紫外臭氧处理，30min；

（304）取底层溶液40ul以旋涂的方法滴涂在处理完的FTO导电玻璃基底上，旋涂条件为3000r/min，旋涂30s，在130度平板炉上加热5min；

（305）将加热完的基底放在马弗炉中，设置500℃，升温1h，保持1h，自然降温，得到的底层厚度为20±1nm。

4.根据权利要求1所述的沉积钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述步骤（4）中，具体包括以下步骤，

（401）配制TiO₂支架层溶液：用30NRD的二氧化钛颗粒浆料加入乙二醇甲醚中，质量比为1:5，用匀胶机进行匀胶处理，每次5min，匀胶5次以上；

（402）取二氧化钛支架层溶液40ul滴涂在二氧化钛底层基底上，旋涂条件为4000r/min，旋涂30s，放在80度烘箱中烘5min ；

（403）将基片从烘箱中取出，用乙醇擦去电极部分支架层；

（404）将处理完的基片放在马弗炉中，设置500℃，升温1h，保持1h，自然降温，得到的支架层厚度为200±10nm。

5.根据权利要求1所述的沉积钙钛矿电池的方法，其特征在于，所述步骤（5）中，具体包括以下步骤：

（501）配制四氯化钛溶液：将1ml溶度为1M的四氯化钛溶液溶于40ml超纯水中，配置成浓度为25mM的四氯化钛溶液；

（502）将制备好的氧化钛基底放入四氯化钛溶液中，放在70度烘箱中，处理10min后取出；

（503）取出后，倒掉四氯化钛溶液并用去离子水冲洗至少三次，用氮气将薄膜吹干。