[发明专利]一种电池片除膜方法及系统在审
申请号: | 201810638578.8 | 申请日: | 2018-06-20 |
公开(公告)号: | CN108747032A | 公开(公告)日: | 2018-11-06 |
发明(设计)人: | 黄同阳;李亮生 | 申请(专利权)人: | 君泰创新(北京)科技有限公司 |
主分类号: | B23K26/362 | 分类号: | B23K26/362;B23K26/08;B23K26/70;H01L31/18 |
代理公司: | 北京天驰君泰律师事务所 11592 | 代理人: | 孟锐 |
地址: | 100176 北京市大兴区北京经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电池片 激光装置 工件承载台 膜层 激光光束 连续扫描 旋转机构 除膜 刻蚀 加工 太阳能电池技术 发送控制指令 光电转换效率 电池表面 控制装置 面刻 转动 损伤 | ||
本发明涉及一种电池片除膜方法及系统,属于太阳能电池技术领域。所述系统包括工件承载台,用于放置电池片;旋转机构,与所述工件承载台相连接,用于带动所述工件承载台转动;激光装置,用于按照设定参数发出激光光束,逐面连续扫描刻蚀所述电池片待加工面的衍生膜层;和控制装置,用于向所述旋转机构和所述激光装置发送控制指令。所述方法包括:设定激光装置参数;启动所述激光装置发出激光光束,逐面连续扫描刻蚀所述电池片待加工面的衍生膜层。本发明在逐面刻蚀掉所述电池片待加工面的衍生膜层时不损伤电池表面,提高了光电转换效率。
技术领域
本发明涉及太阳能电池技术领域,特别地,涉及一种电池片除膜方法及系统。
背景技术
在太阳能电池领域,异质结太阳能电池的硅片正面和背面沉积本征和掺杂非晶硅膜层以及透明导电氧化层。如图1所示,为异质结太阳能电池片结构图,太阳能电池片包括单晶硅片1、非晶硅薄膜本征层2和3、非晶硅薄膜N层4、非晶硅薄膜P层5、透明导电膜层6和金属化栅线7。在制作异质结太阳能电池片的透明导电膜层6时,透明导电膜层6会绕镀到电池片的侧面,从而形成衍生膜层0。该衍生膜层0导致上下两面的透明导电膜层6直接连接,从而引起电池的短路。传统工艺中,为防止透明导电膜层6绕镀到侧面而引起前后电极间的微短路,在透明导电膜层6制作之前在电池片四周贴上掩膜胶带,或制作掩膜压框等工装覆盖、遮挡电池四边,防止透明导电膜层6绕镀到侧面上。如图2所示,为经过传统加工,即在电池四周施加掩膜胶带或掩膜工装隔离透明导电膜层6后得到的异质结太阳能电池片的结构示意图。
针对于贴掩膜胶带或加掩膜压框等工装不但增加了耗材,提高了生产成本,还需要在生产工序上多出施加及去除掩膜工装工序,使得工序比较繁琐,不利于自动化生产,且容易导致良品率及稼动率下降。另外,为了保证足够的余量,一般会遮挡电池四周1-2mm的宽度,造成该区域范围内的有效面积损失,影响整个电池的转换效率。
发明内容
针对现有技术中存在的技术问题,本发明提出了一种电池片除膜方法及系统,在解决透明导电膜层绕镀造成的短路问题的同时,不会损失光转换面积,提高光电转换效率。
根据本发明的一个方面,本发明提供了一种电池片除膜方法,包括:
设定激光装置参数;和
启动所述激光装置发出激光光束,逐面连续扫描刻蚀所述电池片待加工面的衍生膜层。
本发明采用激光装置,根据电池片透明导电膜层灵活调整激光参数,如能量密度、波长等,逐面刻蚀掉所述电池片待加工面的衍生膜层,刻蚀精度可控,不损伤电池片表面,相比于贴掩膜胶带或者加掩膜压框的方法,提高了光电转换效率,并且采用本发明方法,产品的良品率高,激光的精度控制好,工序简单,易于实现自动化流水线操作。
优选地,当所述电池片两个相邻主待加工面之间具有倒角待加工面时,所述逐面连续扫描刻蚀所述电池片待加工面的衍生膜层的步骤包括:
依次扫描刻蚀主待加工面;和
依次扫描刻蚀倒角待加工面。
优选地,所述激光装置发出的激光为波长为355-532nm、功率为1W-10W的激光。
优选地,当所述激光装置发出的激光光束形成的光斑小于所述电池片的待加工面时,所述逐面连续扫描刻蚀所述电池片待加工面的衍生膜层的步骤包括:
当所述激光装置还包括扫描振镜时,驱动所述扫描振镜偏转,用以连续刻蚀所述电池片一个待加工面的衍生膜层;
或者,驱动所述激光装置移动,用以连续刻蚀所述电池片一个待加工面的衍生膜层;
或者,驱动放置电池片的工件承载台移动,用以连续刻蚀所述电池片一个待加工面的衍生镀膜。
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