[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体的制备方法在审
| 申请号： | 201810638970.2 | 申请日： | 2018-06-20 |
| 公开（公告）号： | CN108899281A | 公开（公告）日： | 2018-11-27 |
| 发明（设计）人： | 令海阳;刘宪周 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/40 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 氧化层 横向扩散金属氧化物半导体 图案化 场板 光刻胶 侧壁 衬底 掩膜 制备 刻蚀 光刻形成图案 衬底表面 湿法刻蚀 多晶硅 夹角处 去除 达标 | ||
1.一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，包括：
提供一衬底；
在所述衬底表面形成一氧化层；
刻蚀所述氧化层以形成具有垂直侧壁的图案化的氧化层；
在所述图案化的氧化层上形成一掩膜；
在所述衬底和所述掩膜上形成一层光刻胶，并进行光刻形成图案化的光刻胶；
对所述图案化的氧化层进行湿法刻蚀形成具有弧形侧壁的场板氧化层；
去除所述光刻胶和所述掩膜。
2.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，在所述衬底表面形成一氧化层的步骤之前，还包括在所述阱区形成P型基极区、N型源极区以及用来隔离所述P型基极区和所述N型源极区的浅沟槽隔离结构。
3.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，所述氧化层的厚度为1200埃至1500埃。
4.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，所述掩模的厚度为100埃至300埃。
5.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，所述掩模的材料包括氮化硅。
6.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，湿法刻蚀所述图案化的氧化层的时间为200秒至300秒。
7.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，刻蚀所述图案化的氧化层所使用的液体为氢氟酸。
8.如权利要求1所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，其特征在于，去除掩膜的方法包括，湿法刻蚀去除所述掩膜，刻蚀所述掩模所使用的液体为磷酸。
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