[发明专利]横向扩散金属氧化物半导体的制备方法

说明书

本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，包括：提供一衬底；在衬底表面形成一氧化层；刻蚀所述氧化层以形成图案化的氧化层；在所述图案化的氧化层上形成一掩膜；在所述衬底和所述掩膜上形成一层光刻胶，并进行光刻形成图案化的光刻胶；对图案化的氧化层进行湿法刻蚀形成场板氧化层；去除光刻胶和掩膜。通过本发明提供的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，可以减少图案化的氧化层的顶端被刻蚀的尺寸，使形成的场板氧化层的顶端部分的尺寸达标，并且，场板氧化层的侧壁不再是比较直的侧壁，而是有弧度的侧壁，场板氧化层与衬底之间夹角处的多晶硅可以清除干净，从而增加横向扩散金属氧化物半导体的性能。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法。

背景技术

横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)在集成电路设计与制造中有着重要地位，具有耐压高、增益大、失真低等优点，目前LDMOS设计的重点是如何合理缓和击穿电压与导通电阻之间的矛盾，横向扩散金属氧化物半导体由于要承受高电压，并且因为开启电阻大，所以横向扩散金属氧化物半导体的场板氧化层需要达到一定的厚度，一般为1200埃至1500埃。

现有技术形成LDMOS的方法是，提供一具有P型阱区和N型源区的衬底，在衬底上形成氧化层，对氧化层进行刻蚀形成场板氧化层，接着在场板氧化层与衬底上形成栅极氧化层，接着刻蚀栅极氧化层，接着在栅极氧化层上形成多晶硅层，对多晶硅层进行刻蚀形成栅极结构，但是由于之前形成的场板氧化层两边的侧壁比较直，侧壁与衬底的夹角也不圆滑，因此侧壁与衬底之间夹角的附近的多晶硅不能被完全刻蚀去除，导致形成多晶硅残留，造成漏电，最终影响LDMOS的性能。

发明内容

本发明的目的在于提供一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，以改善场板氧化层的侧壁具有弧度表面，使场板氧化层与衬底之间夹角处的多晶硅可以清除干净，增加横向扩散金属氧化物半导体的电学性能。

为了达到上述目的，本发明提供了一种横向扩散金属氧化物半导体的制备方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底表面形成一氧化层；

刻蚀所述氧化层以形成具有垂直侧壁的图案化的氧化层；

在所述图案化的氧化层上形成一掩膜；

在所述衬底和所述掩膜上形成一层光刻胶，并进行光刻形成图案化的光刻胶；

对所述图案化的氧化层进行湿法刻蚀形成具有弧形侧壁的场板氧化层；

去除所述光刻胶和所述掩膜。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，在所述衬底表面形成一氧化层的步骤之前，还包括在阱区形成P型基极区、N型源极区以及用来隔离所述P型基极区和所述N型源极区的浅沟槽隔离结构。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，所述氧化层的厚度为1200埃至1500埃。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，，所述掩模的厚度为100埃至300埃。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，所述掩模的材料包括氮化硅。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，湿法刻蚀所述图案化的氧化层的时间为200秒至300秒。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，刻蚀所述图案化的氧化层所使用的液体为氢氟酸。

可选的，在所述的横向扩散金属氧化物半导体的制备方法中，去除掩膜的方法包括，湿法刻蚀去除所述掩膜，刻蚀所述掩模所使用的液体为磷酸。