[发明专利]有机发光二极管结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201810642272.X 申请日: 2018-06-21
公开(公告)号: CN109326732A 公开(公告)日: 2019-02-12
发明(设计)人: 施国兴;李嘉宸;严进嵘 申请(专利权)人: 上海自旭光电科技有限公司
主分类号: H01L51/50 分类号: H01L51/50;H01L51/56
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 李有财
地址: 201500 上海市金山区金*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 传输辅助 电子传输 发光区块 辅助层 有机发光二极管结构 电洞 电洞传输层 黄光微影制程 电子传输层 电性导通 阳极层 制造 阴极层 基板 蒸镀
【权利要求书】:

1.一种有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机发光二极管结构包括:

基板;

阳极层,其设置于所述基板上;

电洞传输层,其设置于所述阳极层上;

电洞传输辅助层,其设置于所述电洞传输层上,并进行黄光微影制程,所述电洞传输辅助层对所述电洞传输层的表面进行保护;

至少一发光区块,其设置于所述电洞传输辅助层上,所述电洞传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电洞传输层间;

电子传输层,其设置于所述至少一发光区块上;以及

阴极层,其设置于所述电子传输层上。

2.如权利要求1所述的有机发光二极管结构,其特征在于,更包括电子传输辅助层,所述电子传输辅助层设置于所述至少一发光区块与所述电子传输层间,并进行黄光微影制程,所述电子传输辅助层对所述至少一发光区块的表面进行保护,所述电子传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电子传输层间。

3.如权利要求2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述电子传输辅助层包括有机物、金属、金属化合物或上述任选至少两种组合。

4.如权利要求3所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物,所述金属为锂、钠、钾、铷或铯,所述金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。

5.如权利要求1或2所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述电洞传输辅助层包括有机物与金属氧化物。

6.如权利要求5所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物,所述金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。

7.一种有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机发光二极管结构包括:

基板;

阳极层,其设置于所述基板上;

电洞传输层,其设置于所述阳极层上;

至少一发光区块,其设置于所述电洞传输层上;

电子传输辅助层,其设置于所述至少一发光区块上,并进行黄光微影制程,所述电子传输辅助层对所述至少一发光区块的表面进行保护;

电子传输层,其设置于所述电子传输辅助层上,所述电子传输辅助层电性导通于所述电子传输层与所述至少一发光区块间;以及

阴极层,其设置于所述电子传输层上。

8.如权利要求7所述的有机发光二极管结构,其特征在于,更包括电洞传输辅助层,所述电洞传输辅助层设置于所述电洞传输层与所述至少一发光区块间,并进行黄光微影制程,所述电洞传输辅助层对所述电洞传输层的表面进行保护,所述电洞传输辅助层电性导通于所述至少一发光区块与所述电洞传输层间。

9.如权利要求8所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述电洞传输辅助层包括有机物与金属氧化物。

10.如权利要求9所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物,所述金属氧化物为氧化铁、氧化钨、氧化铟、氧化锡、氧化铟锡、氧化锌、氧化钛、氧化锆、氧化钼、氧化银或氧化金。

11.如权利要求7或8所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述电子传输辅助层包括有机物、金属、金属氧化物或上述任选至少两种组合。

12.如权利要求11所述的有机发光二极管结构,其特征在于,所述有机物为碳氢化合物与其他含碳或氢的有机物,所述金属为锂、钠、钾、铷或铯,所述金属化合物为氟化锂、氟化钾、氟化铯、氟化钠、氟化铷、碳酸锂、碳酸钠、碳酸钾、碳酸铷或碳酸铯。

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