[发明专利]整流桥器件封装工艺在审
| 申请号： | 201810644383.4 | 申请日： | 2018-06-21 |
| 公开（公告）号： | CN108807189A | 公开（公告）日： | 2018-11-13 |
| 发明（设计）人： | 姚磊 | 申请（专利权）人： | 无锡光磊电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L21/56;H01L23/13;H01L23/498 |
| 代理公司： | 无锡市汇诚永信专利代理事务所(普通合伙) 32260 | 代理人： | 张欢勇 |
| 地址： | 214135 江苏省无锡市*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 整流桥器件 整流二极管 导电层 金属块 封装工艺 绝缘包封材料 顶部电极 厚度控制 加工效率 绝缘板 光刻 封装 去除 填充 制备 精密 生产 | ||
1.一种整流桥器件封装工艺，其特征在于，包括以下步骤：
(1)在绝缘板上制备导电层；
(2)去除多余导电层；
(3)将整流二极管固定在所述导电层上；
(4)将厚度与所述整流二极管相同的金属块固定在所述导电层上；
(5)在所述整流二极管和所述金属块之间填充绝缘包封材料，控制所述绝缘包封材料的高度略低于所述整流二极管和所述金属块；
(6)进行光刻，露出所述整流二极管的顶部电极和所述金属块的顶部。
2.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，所述绝缘板的厚度小于0.5毫米。
3.根据权利要求2所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，所述绝缘板的厚度为0.3毫米。
4.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(1)中制备导电层的方法包括蒸发、溅射或电镀。
5.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(2)中去除多余导电层的方法包括光刻或蚀刻。
6.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(3)中将整流二极管固定在所述导电层的方式包括共晶固晶、焊膏固晶或导电胶粘结。
7.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(4)中将厚度与所述整流二极管相同的金属块固定在所述导电层上的方式包括共晶固晶、焊膏固晶或导电胶粘结。
8.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(5)中所述绝缘包封材料包括液态绝缘包封材料。
9.根据权利要求1所述的整流桥器件封装工艺，其特征在于，步骤(6)中，在进行光刻操作之前还包括以下步骤：
在整流桥器件的表面涂覆光敏绝缘材料。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
