[发明专利]整流桥器件封装工艺

说明书

本发明公开了一种整流桥器件封装工艺，包括以下步骤，在绝缘板上制备导电层；去除多余导电层；将整流二极管固定在导电层上；将厚度与整流二极管相同的金属块固定在导电层上；在整流二极管和金属块之间填充绝缘包封材料，控制绝缘包封材料的高度略低于整流二极管和金属块；进行光刻，露出整流二极管的顶部电极和金属块的顶部。本发明实施方式的整流桥器件封装工艺可以将整流桥器件的封装厚度控制在0.5～0.6毫米之间并能够进行批量生产，实现了整流桥器件的进一步精密化；同时，本实施方式工序简单，提高了整流桥器件的加工效率。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种整流桥器件封装工艺。

背景技术

在相关技术中，整流桥的封装操作主要有以下两种方法：

(1)采用固态焊片将整流二极管芯片焊接在多层金属支架上，再用环氧树脂进行包封，通过多层金属支架引出电极，实现整流桥的器件功能。该方法生产的整流桥厚度都在1毫米以上，大部分都在1.3～1.7毫米之间。

(2)采用单层多岛金属支架作为载体，整流二极管芯片的底部电极通过焊膏连接在一个金属基岛上，整流二极管芯片顶部电极通过金属焊线工艺连接到其它金属基岛，然后再用环氧树脂进行包封，利用单层金属支架的露出端引出电极，实现整流桥的器件功能。该方法生产流程繁多，工艺复杂，生产的整流桥器件厚度都在0.9毫米以上，大部分都在1.0～1.3毫米之间。

上述的两种封装操作方法制造的整流桥厚度较大，同时，操作复杂，工序众多，增加了整流桥的封装成本。

发明内容

本发明实施方式提供的一种整流桥器件封装工艺，包括以下步骤：

(1)在绝缘板上制备导电层；

(2)去除多余导电层；

(3)将整流二极管固定在所述导电层上；

(4)将厚度与所述整流二极管相同的金属块固定在所述导电层上；

(5)在所述整流二极管和所述金属块之间填充绝缘包封材料，控制所述绝缘包封材料的高度略低于所述整流二极管和所述金属块；

(6)进行光刻，露出所述整流二极管的顶部电极和所述金属块的顶部。

本发明实施方式的整流桥器件封装工艺可以将整流桥器件的封装厚度控制在0.5～0.6毫米之间并能够进行批量生产，实现了整流桥器件的进一步精密化；同时，本实施方式工序简单，提高了整流桥器件的加工效率。

在某些实施方式中，所述绝缘板的厚度小于0.5毫米。

在某些实施方式中，所述绝缘板的厚度为0.3毫米。

在某些实施方式中，步骤(1)中制备导电层的方法包括蒸发、溅射或电镀。

在某些实施方式中，步骤(2)中去除多余导电层的方法包括光刻或蚀刻。

在某些实施方式中，步骤(3)中将整流二极管固定在所述导电层的方式包括共晶固晶、焊膏固晶或导电胶粘结。

在某些实施方式中，步骤(4)中将厚度与所述整流二极管相同的金属块固定在所述导电层上的方式包括共晶固晶、焊膏固晶或导电胶粘结。

在某些实施方式中，步骤(5)中所述绝缘包封材料包括液态绝缘包封材料。

在某些实施方式中，步骤(6)中，在进行光刻操作之前还包括以下步骤：

在整流桥器件的表面涂覆光敏绝缘材料。

本发明实施方式的附加方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。

附图说明