[发明专利]功率半导体器件在审
| 申请号： | 201810650267.3 | 申请日： | 2018-06-22 |
| 公开（公告）号： | CN108649073A | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 李述洲;王兴龙;徐向涛;刘道广;万欣;晋虎 | 申请（专利权）人： | 重庆平伟实业股份有限公司;嘉兴奥罗拉电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L23/552 |
| 代理公司： | 上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294 | 代理人： | 董琳 |
| 地址： | 405200*** | 国省代码： | 重庆;50 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 功率半导体器件 半导体层 栅极结构 掺杂的 体区 半导体层表面 载流子吸收 | ||
1.一种功率半导体器件，其特征在于，包括：
第一类型掺杂的半导体层；
位于所述半导体层表面的栅极结构；
位于所述栅极结构两侧的半导体层内的第二类型掺杂的体区；
位于所述体区之间的半导体层内的载流子吸收区。
2.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区的表面与所述半导体层表面共面。
3.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区边缘与所述体区之间的最小距离大于0且小于等于2μm。
4.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区为第二类型掺杂。
5.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区的掺杂深度小于或等于所述体区的掺杂深度。
6.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区的掺杂浓度为1e12cm-3～1e18cm-3。
7.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区吸收区内掺杂有重金属离子。
8.根据权利要求7所述的功率半导体器件，其特征在于，所述重金属离子的掺杂浓度为5e13cm-3～5e15cm-3。
9.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述半导体层包括至少一层第一类型掺杂的外延层。
10.根据权利要求1所述的功率半导体器件，其特征在于，所述载流子吸收区包括多个分立的子吸收区。
11.根据权利要求10所述的功率半导体器件，其特征在于，相邻的所述子吸收区之间的间距小于2μm。
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