[发明专利]一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法

权利要求书

1.一种MOS晶体管的接点电阻的计测方法，包括：

提供一MOS晶体管，包括：

一基底；

一栅极；

一源极区和一漏极区；

一源极接点，电连接到该源极区；以及

一漏极接点，电连接到该漏极区；

以正向配置操作该MOS晶体管，以当施加一组第一栅极电压到该栅极且该基底和该源极接点接地时，测量横跨该栅极和该源极接点的一组电位、横跨该漏极和该源极接点的一组电位、及从该漏极接点到该源极接点的一组电流；

以反向配置操作该MOS晶体管，以当一组第二栅极电压施加到该栅极且该基底和该漏极接点接地时，测量横跨该栅极与该漏极接点的一组电位、横跨该源极接点与该漏极接点的一组电位以及从该源极接点到该漏极接点的一组电流；

获得一源极接点电阻与一漏极接点电阻之间的一电阻差；

获得该源极接点电阻与该漏极接点电阻的一电阻和；以及

根据该电阻和与该电阻差，计算该源极接点电阻和该漏极接点电阻；

其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻之间的该电阻差由以下方程式获得：

Ids(RSC-RDC)＝(Vgs-Vgd)-(VTn-VTi)；而且

其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和由以下方程式获得：

Vds/Idsn＝VDS/Idsn+(RDC+RSC)，

其中：Idsn是从该漏极接点到该源极接点的电流，RSC是该源极接点电阻，RDC是该漏极接点的该电阻，Vgs是横跨该栅极和该源极接点的电位，Vgd是横跨该栅极和该漏极接点的电位，VTn是正向配置的该MOS晶体管的临界电压，VTi是反向配置的该MOS晶体管的临界电压，Vds是横跨该漏极接点和该源极接点的电位，而VDS是横跨该漏极区和该源极区的电位。

2.如权利要求1所述的计测方法，其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻之间的该电阻差，由以下方程式获得：

Vgs＝VgS+RSC*Idsn (1)；以及

Vgd＝VgD+RDC*Idsi (2)，

其中：

VgS是横跨该栅极和该源极的电位；

VgD是横跨该栅极和该漏极区的电位；

Idsi是从该源极接点到该漏极接点的电流。

3.如权利要求2所述的计测方法，其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻之间的该电阻差，是以一双变数方程式的形式计算。

4.如权利要求3所述的计测方法，其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和，由以下方程式获得：

Vds＝VDS+(RDC+RSC)*Idsn (3)；以及

Vsd＝VSD+(RDC+RSC)*Idsi (4)，

其中：

Vsd是横跨该源极接点和该漏极接点的电位；

VSD是横跨该源极区和该漏极区的电位。

5.如权利要求4所述的计测方法，其中该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和，是以一双变数方程式形式计算。

6.如权利要求5所述的计测方法，其中该双变数方程式是通过一曲线配适法，计算该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和。

7.如权利要求5所述的计测方法，其中该双变数方程式是通过一最小平方法，计算该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和。

8.如权利要求6所述的计测方法，其中通过求解该源极接点电阻与该漏极接点电阻的该电阻和的该双变数方程式，以及该源极接点电阻与该漏极接点电阻之间的该电阻差的该双变数方程式，计算该源极接点的该电阻和该漏极接点的该电阻。